[發(fā)明專利]納米材料發(fā)光器件及納米材料發(fā)光器件的封裝方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201680003920.6 | 申請日: | 2016-08-12 |
| 公開(公告)號: | CN107004750A | 公開(公告)日: | 2017-08-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 伍燕鋒;張建兵;何江 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳通感微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L33/58 | 分類號: | H01L33/58;H01L33/44;B82Y20/00 |
| 代理公司: | 深圳市瑞方達(dá)知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙)44314 | 代理人: | 林儉良,張約宗 |
| 地址: | 518034 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 納米 材料 發(fā)光 器件 封裝 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及發(fā)光器件領(lǐng)域,尤其涉及一種納米材料發(fā)光器件及納米材料發(fā)光器件的封裝方法。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中,發(fā)光器件領(lǐng)域產(chǎn)品中的管帽往往是一體成型結(jié)構(gòu),工藝成本高且濾光、聚光效率不佳。除此之外,管帽透光部分大多采用普通材料的涂層進(jìn)行濾光,使得LED的光能利用率很低。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于,提供一種改進(jìn)的納米材料發(fā)光器件及納米材料發(fā)光器件的封裝方法。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:提供一種納米材料發(fā)光器件,包括基座、設(shè)置于所述基座上的發(fā)光件、以及安裝在所述基座上的管帽;所述管帽上開有一出光孔,且所述出光孔上安裝一光學(xué)器件,所述光學(xué)器件上設(shè)置有濾光涂層,所述濾光涂層為納米材料涂層。
優(yōu)選地,所述光學(xué)器件包括玻璃基材,所述玻璃基材上設(shè)置有一通過將納米材料液體烘干以形成的納米材料涂層片,所述濾光涂層包括所述納米材料涂層片。
優(yōu)選地,所述光學(xué)器件包括玻璃基材,所述玻璃基材上設(shè)置有所述濾光涂層,所述濾光涂層通過將納米材料涂層液體設(shè)置于所述玻璃基材上并經(jīng)由高溫或紫外烘干而形成。
優(yōu)選地,所述管帽和所述基座在氮氣保護(hù)或者真空環(huán)境下封焊封裝;所述發(fā)光件與所述光學(xué)器件相對設(shè)置,并且兩者之間的空間內(nèi)填充氮氣或為真空狀態(tài)。
優(yōu)選地,所述納米材料涂層液體由納米材料溶液和/或粉末與AB膠和/或UV膠混合制成。
優(yōu)選地,所述納米材料溶液和/或粉末為量子點溶液和/或粉末。
還提供一種納米材料發(fā)光器件的封裝方法,包括如下步驟:
將發(fā)光件封裝到基座;
在管帽上開一出光孔,并在所述出光孔上安裝一光學(xué)器件,所述光學(xué)器件上涂覆有濾光涂層,所述濾光涂層為納米材料涂層;
將所述管帽和所述基座封焊封裝。
優(yōu)選地,在所述在管帽上開一出光孔、并在所述出光孔上安裝一光學(xué)器件的步驟中,包括:
將納米材料液體使用懸涂工藝涂于一玻璃基材上;
將所述玻璃基材進(jìn)行高溫或者紫外烘干,形成所述光學(xué)器件;
將所述光學(xué)器件裁剪后鑲嵌進(jìn)所述管帽。
優(yōu)選地,在所述在管帽上開一出光孔、并在所述出光孔上安裝一光學(xué)器件的步驟中,包括:
將納米材料液體烘干,形成一納米材料涂層片;
將所述納米材料涂層片貼到具有玻璃基材的所述管帽上,所述玻璃基材覆蓋于所述出光孔上。
優(yōu)選地,在所述在管帽上開一出光孔、并在所述出光孔上安裝一光學(xué)器件的步驟中,包括:
將納米材料涂層液體以點膠的方式,點到所述管帽的玻璃平窗上,所述玻璃基材覆蓋于所述出光孔上;
將所述納米材料涂層液體與所述管帽一起進(jìn)行高溫或者紫外烘干。
優(yōu)選地,在所述在管帽上開一出光孔、并在所述出光孔上安裝一光學(xué)器件的步驟中,包括:
將納米材料液體使用懸涂工藝涂于一玻璃基材上;
將所述玻璃基材進(jìn)行高溫或者紫外烘干,形成一整體件;
將所述整體件裁剪為數(shù)個所述光學(xué)器件;
將所述光學(xué)器件鑲嵌進(jìn)所述管帽。
實施本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的納米材料發(fā)光器件及納米材料發(fā)光器件的封裝方法中,管帽上開的出光孔上安裝光學(xué)器件,光學(xué)器件上的納米材料涂層具有濾光效果佳、光能利用率高的優(yōu)點。
附圖說明
下面將結(jié)合附圖及實施例對本發(fā)明作進(jìn)一步說明,附圖中:
圖1是本發(fā)明一些實施例中納米材料發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是本發(fā)明一些實施例中納米材料發(fā)光器件的封裝方法的流程圖。
具體實施方式
為了對本發(fā)明的技術(shù)特征、目的和效果有更加清楚的理解,現(xiàn)對照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的具體實施方式。
圖1示出了本發(fā)明一些實施例中的納米材料發(fā)光器件,通過使用納米材料和特定結(jié)構(gòu),可使藍(lán)光led芯片實現(xiàn)紅外(800-2000nM)發(fā)射功能。本發(fā)明一些實施例中的納米材料發(fā)光器件包括基座10、發(fā)光件20以及管帽30,發(fā)光件20設(shè)置于基座10上,管帽30安裝在基座10上。
其中,基座10可以用常見的基座10材料制成。管帽30和基座10優(yōu)選在氮氣保護(hù)或者真空環(huán)境下封焊封裝。
發(fā)光件20可以為常見的、任何發(fā)光的器件,發(fā)光件20可實現(xiàn)其發(fā)光光譜經(jīng)過光學(xué)器件32后,只出對應(yīng)的紅外光。優(yōu)選地,發(fā)光件20為納米材料紅外LED。作為選擇,可將440nM-460nM藍(lán)光LED芯片封裝到基座10。
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