[發明專利]帶載體的極薄銅箔及其制造方法

有效

• 申請號: 201680003775.1
• 申請日: 2016-01-20
• 公開（公告）號: CN107002265B
• 公開（公告）日: 2019-04-26
• 發明（設計）人: 花田徹;高梨哲聰;松永哲廣;立岡步
• 申請（專利權）人: 三井金屬礦業株式會社
• 主分類號: C25D1/04
• 分類號: C25D1/04;B32B15/08;B32B15/20;C25D5/16;C25D7/06;H05K1/09
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

本發明提供在覆銅層疊板的加工～印刷電路板的制造中能夠兼顧微細電路形成性和激光加工性的帶載體的極薄銅箔。本發明的帶載體的極薄銅箔依次具備載體箔、剝離層和極薄銅箔。極薄銅箔的剝離層一側的表面的表面峰間的平均距離(Peak spacing)為20μm以下，且極薄銅箔的與剝離層相反一側的表面的波紋度的最大高低差(Wmax)為1.0μm以下。

技術領域

本發明涉及帶載體的極薄銅箔及其制造方法。

背景技術

近年來，作為適合于電路微細化的印刷電路板的制造方法，廣泛采用MSAP(改良型半加成工藝)法。MSAP法是極其適合形成微細電路的方法，為了活用其特征，使用帶載體箔的極薄銅箔來進行。例如，如圖1和圖2所示那樣，使用底漆層12對極薄銅箔10進行按壓使其與在基底基材11a上具備預浸料11b的絕緣樹脂基板11(根據需要可內含下層電路11c)密合(步驟(a))，剝掉載體箔(未圖示)后，根據需要通過激光穿孔形成通路孔13(步驟(b))。接著，實施化學鍍銅14(步驟(c))后，通過使用了干膜15的曝光和顯影，用特定的圖案進行掩蔽(步驟(d))，實施電鍍銅16(步驟(e))。去除干膜15而形成配線部分16a(步驟(f))后，將相鄰的配線部分16a,16a間的無用極薄銅箔等在它們的整體厚度上通過蝕刻來去除(步驟(g))，得到通過特定圖案形成的配線17。

尤其是，近年來隨著電子電路的小型輕量化，尋求電路形成性更優異(例如能夠形成線/空間＝15μm以下/15μm以下的微細電路)的MSAP法用銅箔。例如，專利文獻1(國際公開第2012/046804號)公開了用JIS-B-06012-1994規定的表面基底山的凹凸平均間隔Sm為25μm以上的載體箔上依次層疊剝離層、銅箔，并將銅箔從載體箔上剝離而得到的銅箔，據稱通過使用該銅箔，能夠無損配線的直線性地蝕刻直到線/空間為15μm以下的極細范圍。

此外，近年來的覆銅層疊板的通路孔加工常用將激光直接照射至極薄銅箔而形成通路孔的直接激光開孔加工(例如參照專利文獻2(日本特開平11-346060號公報))。該方法中，一般來說，對極薄銅箔的表面實施黑化處理后，對該實施了黑化處理的表面照射二氧化碳激光，進行極薄銅箔及其正下方的絕緣層的開孔。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：國際公開第2012/046804號

專利文獻2：日本特開平11-346060號公報

發明內容

然而，黑化處理除了需要時間和成本之外，成品率也會降低，因此，若能夠適合地對極薄銅箔表面直接進行激光開孔加工而不進行黑化處理，則是優選的情況。然而已知：對專利文獻1所述的帶載體的極薄銅箔的表面直接進行激光開孔加工時，利用通常的照射條件難以實現期望的孔，無法兼顧微細電路形成性和激光加工性。

本發明人等本次獲得如下見解：對于帶載體的極薄銅箔而言，通過賦予極薄銅箔的剝離層一側的表面的表面峰間的平均距離(Peak spacing)為20μm以下、且極薄銅箔的與剝離層相反一側的表面的波紋度的最大高低差(Wmax)為1.0μm以下的表面輪廓，從而在覆銅層疊板的加工～印刷電路板的制造中，能夠兼顧微細電路形成性和激光加工性。

因此，本發明的目的在于，提供在覆銅層疊板的加工～印刷電路板的制造中能夠兼顧微細電路形成性和激光加工性的帶載體的極薄銅箔。

根據本發明的一個方式，提供一種帶載體的極薄銅箔，其依次具備載體箔、剝離層和極薄銅箔，

前述極薄銅箔的剝離層一側的表面的表面峰間的平均距離(Peak spacing)為20μm以下，且前述極薄銅箔的與剝離層相反一側的表面的波紋度的最大高低差(Wmax)為1.0μm以下。

根據本發明的另一方式，提供基于上述方式的帶載體的極薄銅箔的制造方法，其包括：