[發(fā)明專利]R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201680003212.2
• 申請(qǐng)日: 2016-07-20
• 公開（公告）號(hào): CN107077965B
• 公開（公告）日: 2018-12-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 國(guó)吉太
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 日立金屬株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01F41/02
• 分類號(hào): H01F41/02;B22F3/24;C21D6/00;C22C28/00;C22C38/00;C22F1/00;H01F1/057;H01F1/08
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳;呂秀平

1.一種R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，包括：

準(zhǔn)備R-T-B系燒結(jié)磁體原材料的工序；

準(zhǔn)備Pr-Ga合金的工序；

使所述R-T-B系燒結(jié)磁體原材料表面的至少一部分與所述Pr-Ga合金的至少一部分接觸，在真空或者非活性氣體氣氛中，在超過(guò)600℃、950℃以下的溫度實(shí)施第一熱處理的工序；和

對(duì)于實(shí)施了所述第一熱處理的R-T-B系燒結(jié)磁體原材料，在真空或者非活性氣體氣氛中，在比實(shí)施所述第一熱處理的工序中所實(shí)施的溫度更低的溫度、且450℃以上750℃以下的溫度實(shí)施第二熱處理的工序，

所述R-T-B系燒結(jié)磁體原材料含有：

R：27.5～35.0質(zhì)量％、

B：0.80～0.99質(zhì)量％、

Ga：0～0.8質(zhì)量％、

M：0～2質(zhì)量％，

剩余部分包含T和不可避免的雜質(zhì)，

其中，R為稀土元素中的至少一種且必包含Nd，M為Cu、Al、Nb、Zr的至少一種，T為Fe或者Fe和Co，

并且，所述R-T-B系燒結(jié)磁體原材料具有滿足后述不等式(1)的組成：

[T]/55.85＞14[B]/10.8 (1)

其中，[T]為以質(zhì)量％示出的T的含量，[B]為以質(zhì)量％示出的B的含量，

所述Pr-Ga合金中，Pr為Pr-Ga合金整體的65～97質(zhì)量％，Pr的20質(zhì)量％以下可以被Nd置換，Pr的30質(zhì)量％以下可以被Dy和/或Tb置換，Ga為Pr-Ga合金整體的3質(zhì)量％～35質(zhì)量％，Ga的50質(zhì)量％以下可以被Cu置換，所述Pr-Ga合金可以含有不可避免的雜質(zhì)。

2.如權(quán)利要求1所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，

所述R-T-B系燒結(jié)磁體原材料的Ga量為0～0.5質(zhì)量％。

3.如權(quán)利要求1或2所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，

所述Pr-Ga合金的Nd含量為不可避免的雜質(zhì)含量以下。

4.如權(quán)利要求1或2所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，

將實(shí)施了所述第一熱處理的R-T-B系燒結(jié)磁體以5℃/分鐘以上的冷卻速度從實(shí)施所述第一熱處理的溫度起冷卻至300℃。

5.如權(quán)利要求4所述的R-T-B系燒結(jié)磁體的制造方法，其特征在于，

所述冷卻速度為15℃/分鐘以上。