[發(fā)明專利]Type-C連接器子系統(tǒng)的低功率實(shí)現(xiàn)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201680003008.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-03-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN107077183B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 里什·阿加瓦爾;尼古拉斯·亞歷山大·伯德納魯克;帕萬(wàn)·庫(kù)馬爾·庫(kù)奇普蒂;蘇里什·奈杜·萊卡拉 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 賽普拉斯半導(dǎo)體公司 |
| 主分類號(hào): | G06F1/26 | 分類號(hào): | G06F1/26 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 張瑞;鄭霞 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | type 連接器 子系統(tǒng) 功率 實(shí)現(xiàn) | ||
1.一種Type-C連接器子系統(tǒng)的低功率實(shí)現(xiàn)設(shè)備,包括:
處理器;以及
通用串行總線(USB)Type-C子系統(tǒng),其中所述Type-C子系統(tǒng)被至少配置為:
對(duì)耦合到所述Type-C子系統(tǒng)的Vconn線的Ra終端電路進(jìn)行操作,所述Ra終端電路包括負(fù)電荷泵、柵極控制裝置和Ra終端,其中,所述Ra終端電路在被施加到所述Vconn線之后消耗不超過(guò)100μA的電流,其中,為了操作所述Ra終端電路,所述Type-C子系統(tǒng)被配置為:
在所述Type-C子系統(tǒng)未被供電時(shí),保持所述Ra終端“接通”;
檢測(cè)所述Vconn線何時(shí)被供電;以及
當(dāng)所述Vconn線達(dá)到閾值電壓以上時(shí),啟用負(fù)電荷泵,以便禁用所述Ra終端;以及
在所述設(shè)備的深度睡眠狀態(tài)下操作一個(gè)或多個(gè)備用參考電路,以在所述Type-C子系統(tǒng)的配置通道CC線上執(zhí)行檢測(cè),其中,所述一個(gè)或多個(gè)備用參考電路是低功率電壓參考源和/或低功率電流參考源,并且其中,所述設(shè)備在所述深度睡眠狀態(tài)下消耗不超過(guò)100μA的電流;
其中,所述設(shè)備是集成電路(IC)芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述Ra終端被配置為在所述Type-C子系統(tǒng)未被供電時(shí)保持“接通”。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述Type-C子系統(tǒng)被配置為當(dāng)在所述CC線上檢測(cè)到通信時(shí),從所述深度睡眠狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樗鲈O(shè)備的活動(dòng)狀態(tài),并且當(dāng)所述CC線變?yōu)榭臻e時(shí),恢復(fù)到所述深度睡眠狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備,其中,所述Type-C子系統(tǒng)被配置為當(dāng)在所述深度睡眠狀態(tài)下在所述CC線上檢測(cè)到終端的分離時(shí),從所述深度睡眠狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)樗鲈O(shè)備的等待附接狀態(tài)。
5.一種Type-C連接器子系統(tǒng)的低功率實(shí)現(xiàn)設(shè)備,包括:
處理器;以及
通用串行總線(USB)Type-C子系統(tǒng),其包括Ra終端電路,所述Ra終端電路包括負(fù)電荷泵、柵極控制裝置和Ra終端,其中,所述負(fù)電荷泵耦合到所述柵極控制裝置,并且所述Ra終端耦合到所述Type-C子系統(tǒng)的Vconn線;
其中,所述Type-C子系統(tǒng)被配置為:
當(dāng)所述Vconn線上的電壓達(dá)到閾值電壓以上時(shí),啟用所述負(fù)電荷泵;以及
當(dāng)所述負(fù)電荷泵被啟用時(shí),禁用所述Ra終端;
其中,所述Ra終端在被禁用之后消耗小于50μA的電流;
其中,所述設(shè)備是集成電路(IC)芯片。
6.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中,所述Ra終端電路包括本機(jī)的片上設(shè)備,所述本機(jī)的片上設(shè)備包括一個(gè)或多個(gè)N型金屬氧化物(NMOS)晶體管。
7.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中,所述Type-C子系統(tǒng)被配置為當(dāng)所述Type-C子系統(tǒng)未被供電時(shí),保持所述Ra終端“接通”。
8.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中,所述閾值電壓處于2.375V到2.625V的范圍內(nèi)。
9.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中,所述Type-C子系統(tǒng)還被配置為:
檢測(cè)所述Vconn線上的所述電壓何時(shí)不再被施加;以及
禁用所述負(fù)電荷泵,以便啟用所述Ra終端。
10.如權(quán)利要求5所述的設(shè)備,其中,所述設(shè)備是電纜。
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