[實用新型]半導體器件和非易失性存儲器

有效

• 申請號: 201621453065.2
• 申請日: 2016-11-23
• 公開（公告）號: CN206163529U
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: F·拉羅薩;S·尼埃爾;A·雷尼耶
• 申請（專利權）人: 意法半導體（魯塞）公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,董典紅

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底的頂部上的絕緣層；以及

在第一方向上按列并且在與所述第一方向正交的第二方向上按行設置的二極管陣列，每個二極管包括第一導電類型的陰極區域和第二導電類型的陽極區域，所述陰極區域和所述陽極區域彼此重疊并且設置于所述絕緣層上，使得所述絕緣層將所述二極管與所述半導體襯底絕緣。

2.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述陰極區域是縱向沿著所述第二方向的對應半導體帶的部分，其中，對于每行，所述行的所述二極管的所述陰極區域是所述半導體帶中的對應半導體帶的部分，并且所述行的所述二極管的所述陽極區域是分別與所述行的所述陰極區域接觸的半導體墊。

3.根據權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，包括：

沿著所述第二方向與所述半導體帶平行的金屬跡線，以及

將所述金屬跡線連接到所述半導體帶的金屬接觸，所述金屬接觸沿著所述第二方向規則地設置在至少一個二極管構成的組之間。

4.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述陰極區域直接位于所述絕緣層上并且位于所述陽極區域和所述絕緣層之間。

5.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，包括將同一行的所述二極管的所述陽極區域彼此分離的絕緣材料的緩沖部分，所述緩沖部分具有被所述陽極區域的邊緣部分跨越的邊緣。

6.根據權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，包括：

分別與陽極接觸的金屬接觸；以及

通過所述金屬接觸分別電耦合至所述陽極的存儲器單元。

7.一種非易失性存儲器，其特征在于，包括：

半導體襯底；

位于所述半導體襯底的頂部上的絕緣層；

包括存儲器單元陣列的存儲器層面；以及

二極管的選擇器陣列，被配置成分別選擇所述存儲器層面的存儲器單元，所述二極管在第一方向上按列并且在與所述第一方向正交的第二方向上按行設置，每個二極管包括第一導電類型的陰極區域和第二導電類型的陽極區域，所述陰極區域和所述陽極區域彼此重疊并設置于所述絕緣層上，使得所述絕緣層將所述二極管與所述半導體襯底絕緣。

8.根據權利要求7所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述存儲器單元是電阻存儲器單元或相變存儲器單元。

9.根據權利要求7所述的非易失性存儲器，其特征在于，所述陰極區域是縱向沿著所述第二方向的對應半導體帶的部分，其中，對于每行，所述行的所述二極管的所述陰極區域是所述半導體帶中的對應半導體帶的部分，并且所述行的所述二極管的所述陽極區域是分別與所述行的所述陰極區域接觸的半導體墊。

10.根據權利要求9所述的非易失性存儲器，其特征在于，包括：

沿著所述第二方向與所述半導體帶平行的金屬跡線，以及

將所述金屬跡線連接到所述半導體帶的金屬接觸，所述金屬接觸沿著所述第二方向規則地設置在至少一個二極管構成的組之間。

11.根據權利要求7所述的非易失性存儲器，其特征在于，包括將同一行的所述二極管的所述陽極區域彼此分離的絕緣材料的緩沖部分，所述緩沖部分具有被所述陽極區域的邊緣部分跨越的邊緣。

12.根據權利要求7所述的非易失性存儲器，其特征在于，包括分別將所述陽極電耦合到所述存儲器單元的金屬接觸。