[實(shí)用新型]一種GaN微波功率放大器保護(hù)電路

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201621444807.5
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN206432960U
• 公開（公告）日: 2017-08-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 沈美根;朱佳浩;李賀;陳強(qiáng)
• 申請（專利權(quán)）人: 江蘇博普電子科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H03F1/52
• 分類號: H03F1/52;H03F1/26;H03F3/193;H03F3/21;H03F3/24
• 代理公司: 南京縱橫知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司32224
• 代理人: 耿英,董建林

1.一種GaN微波功率放大器保護(hù)電路，其特征是，包括負(fù)壓及時序產(chǎn)生電路、第一比較器、三輸入與門、一分壓回路、與GaN微波功率放大器漏極連接的GaN漏極調(diào)制電路、與GaN微波功率放大器柵極連接的運(yùn)算放大器；

負(fù)壓及時序產(chǎn)生電路的其中一個輸出端為-5V端，其電壓為設(shè)定值；另一輸出端為POK端，與三輸入與門其中一個輸入端連接；

第一比較器的兩個輸入端分別連接至GaN微波功率器件的柵極、分壓回路輸出電壓端，第一比較器的輸出端連接至一二極管的陽極，二極管的陰極連接至三輸入與門的其中一個輸入端Pin；三輸入與門的另一輸入端連接至負(fù)壓及時序產(chǎn)生電路的POK端，另一輸入端連接雷達(dá)系統(tǒng)輸入的漏極調(diào)制信號TTL；三輸入與門的輸出端Cin連接至GaN漏極調(diào)制電路，控制GaN漏極調(diào)制電路的開關(guān)截止；GaN漏極調(diào)制電路為設(shè)置在工作電壓與GaN微波功率器件漏極之間的一個開關(guān)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率放大器保護(hù)電路，其特征是，分壓回路中包括一可變電阻器，分壓回路輸出電壓連接至比較器的其中一個輸入端的同時還與所述運(yùn)算放大器的正向輸入端連接，運(yùn)算放大器輸出端連接至GaN微波功率器件柵極的同時還反饋連接至其反向輸入端，使GaN微波功率器件柵極電壓可由可變電阻器進(jìn)行調(diào)整。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率放大器保護(hù)電路，其特征是，負(fù)壓及時序產(chǎn)生電路當(dāng)-5V端輸出在小于設(shè)定值7%內(nèi)時，POK端輸出高電平；否則POK端輸出為低電平。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率放大器保護(hù)電路，其特征是，當(dāng)柵極電壓大于分壓回路輸出電壓端的電壓時，第一比較器輸出低電平；當(dāng)柵極電壓小于分壓回路輸出電壓端的電壓時，第一比較器輸出高電平。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率放大器保護(hù)電路，其特征是，當(dāng)三輸入與門的輸出端Cin為高電平時，GaN漏極調(diào)制電路開關(guān)導(dǎo)通， GaN微波功率器件漏極獲得工作電壓；當(dāng)三輸入與門的輸出端Cin為低電平時，GaN漏極調(diào)制電路開關(guān)截止，GaN微波功率器件漏極的工作電壓為零。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的GaN微波功率放大器保護(hù)電路，其特征是，所述運(yùn)算放大器輸出端還同時通過一射頻電容接地。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率放大器保護(hù)電路，其特征是，GaN微波功率器件為GaN微波功率放大器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率放大器保護(hù)電路，其特征是，所述負(fù)壓及時序產(chǎn)生電路包括充電泵、線性穩(wěn)壓電路和比較器；充電泵由電源供電，其輸出與線性穩(wěn)壓電路的輸入端連接；線性穩(wěn)壓電路的輸出端為負(fù)壓及時序產(chǎn)生電路的其中一個輸出端-5V端，同時線性穩(wěn)壓電路的輸出端經(jīng)分壓后連接至第二比較器的反向輸入端，第二比較器的正向輸入端經(jīng)參考電壓接地，第二比較器的輸出端為POK端。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的GaN微波功率放大器保護(hù)電路，其特征是，所述GaN漏極調(diào)制電路包括NPN管和PMOS管；三輸入與門的輸出端Cin連接至NPN管的基極，NPN管發(fā)射極接地，NPN管集電極連接至PMOS管的柵極，PMOS管的源極接工作電壓Vdd，PMOS管的漏極連接作為GaN微波功率器件的漏極電壓Vds。