[實用新型]一種高溫薄膜壓力敏感元件

有效

• 申請號: 201621384108.6
• 申請日: 2016-12-16
• 公開（公告）號: CN206362469U
• 公開（公告）日: 2017-07-28
• 發明（設計）人: 戚龍;高波;鄭致遠;潘婷
• 申請（專利權）人: 陜西電器研究所
• 主分類號: G01L1/22
• 分類號: G01L1/22;G01L9/04
• 代理公司: 西安文盛專利代理有限公司61100
• 代理人: 李中群

1.一種高溫薄膜壓力敏感元件，其特征在于：包括一個金屬材料制的罩筒形耐高溫彈性體(1)，在耐高溫彈性體(1)的表面自下而上依次設置有介質薄膜(2)、壓敏薄膜(3)和保護膜(4)，其中，介質薄膜(2)是由多層SiO₂膜和多層Al₂O₃疊加構成的總厚度為1.0～1.2微米的薄膜，壓敏薄膜(3)為通過離子束濺射沉積及光刻工藝制成的厚度為100～200納米的NiCr合金平面電阻膜，在壓敏薄膜(3)上復制有惠斯通電橋，保護膜(4)為通過反應離子束濺射沉積工藝制成的厚度為100～200納米的Si₃N₄材料膜。

2.根據權利要求1所述的高溫薄膜壓力敏感元件，其特征在于：連接惠斯頓電橋的四個電阻(R1、R2、R、R4)處于耐高溫彈性體(1)感受壓力后的表面應變區內。