[實用新型]半導體測試結構

有效

• 申請號: 201621381185.6
• 申請日: 2016-12-15
• 公開（公告）號: CN206282851U
• 公開（公告）日: 2017-06-27
• 發明（設計）人: 李美惠
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: H01L23/544
• 分類號: H01L23/544;H01L21/66
• 代理公司: 上海光華專利事務所31219
• 代理人: 余明偉

1.一種測試結構，其特征在于，所述測試結構包括：

襯底；

若干個條狀多晶硅結構，位于所述襯底表面，呈平行間隔分布；

第一金屬層，位于所述多晶硅結構上方，包括若干個呈平行間隔分布的第一金屬條，所述第一金屬條橫跨所述多晶硅結構；

第一連接通孔，位于所述第一金屬條與所述襯底之間，所述第一連接通孔的一端與所述襯底相連接，另一端與所述第一金屬條相連接；

第二金屬層，包括第二金屬條及第三金屬條；所述第二金屬條位于平行間隔分布的所述第一金屬條一側，且位于所述多晶硅結構上方，并橫跨平行間隔分布的所述多晶硅結構；所述第三金屬條位于平行間隔分布的所述多晶硅結構一側，且位于所述第一金屬條上方，并橫跨平行間隔分布的所述第一金屬條；

第二連接通孔，位于所述第一金屬條與所述第三金屬條之間，所述第二連接通孔一端與所述第一金屬條相連接，另一端與所述第三金屬條相連接；

連接通孔組件，位于所述第二金屬條與所述多晶硅結構之間，連接所述第二金屬條與所述多晶硅結構。

2.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述襯底內設有若干個間隔分布的淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構將所述襯底分割成多個有源區，其中，

所述第一連接通孔連接所述第一金屬條與所述有源區；

所述多晶硅結構位于所述淺溝槽隔離結構上。

3.根據權利要求2所述的測試結構，其特征在于，所述淺溝槽隔離結構為條狀結構，所述淺溝槽隔離結構與所述多晶硅結構上下對應設置。

4.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一金屬層還包括金屬塊，所述金屬塊與所述第一金屬條位于同一平面上，且位于所述多晶硅結構與所述第二金屬條之間；

所述連接通孔組件包括第三連接通孔及第四連接通孔；所述第三連接通孔位于所述多晶硅結構與所述金屬塊之間，所述第三連接通孔的一端與所述多晶硅結構相連接，另一端與所述金屬塊相連接；所述第四連接通孔位于所述金屬塊與所述第二金屬條之間，所述第四連接通孔的一端與所述金屬塊相連接，另一端與所述第二金屬條相連接。

5.根據權利要求4所述的測試結構，其特征在于，所述金屬塊的數量與所述多晶硅結構的數量相同。

6.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述第一金屬條與所述多晶硅結構相垂直。

7.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，與每條所述第一金屬條相連接的所述第一連接通孔的數量大于或等于所述多晶硅結構的數量。

8.根據權利要求7所述的測試結構，其特征在于，與每條所述第一金屬條相連接的所述第一連接通孔的數量為所述多晶硅結構的數量的兩倍，且所述第一連接通孔對稱地分布于所述多晶硅結構的兩側。

9.根據權利要求1所述的測試結構，其特征在于，所述測試結構還包括測試焊墊，所述測試焊墊分別與所述第二金屬條及所述第三金屬條相連接。