[實(shí)用新型]芯片級(jí)LED封裝器件以及LED顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201621378708.1
• 申請(qǐng)日: 2016-12-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206271751U
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-06-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李漫鐵;屠孟龍;余應(yīng)森
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳雷曼光電科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/48
• 分類號(hào): H01L33/48;H01L33/62;H01L33/56;H01L33/60
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務(wù)所44275
• 代理人: 張明

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片級(jí)LED封裝器件以及LED顯示裝置。

背景技術(shù)

LED封裝中的芯片級(jí)封裝(Chip Scale Package,CSP)也稱圓片級(jí)封裝(Wafer Level Package,WLP)或者晶圓級(jí)封裝，是指在未劃片前完成對(duì)于LED芯片的封裝，使得測(cè)試、劃片都可以在封裝完成之后進(jìn)行，對(duì)于降低封裝成本、提高良品率、縮小封裝尺寸都有積極的作用。

芯片級(jí)LED封裝器件，由芯片級(jí)封裝工藝獲得，一般定義為：封裝體積與LED芯片體積相同或者封裝體積不大于LED芯片體積的20％，且功能完整的封裝元件。相比傳統(tǒng)封裝方式，芯片級(jí)封裝方式免去了支架、焊線流程，獲得的封裝器件可以直接貼合在設(shè)有驅(qū)動(dòng)電路的載板上。其中，芯片級(jí)LED封裝器件的一般生產(chǎn)工藝是通過(guò)模具注塑成型或者壓膜直接對(duì)倒裝芯片進(jìn)行覆膜，后期切割分離，即劃片。

現(xiàn)有的采用PPA(Polyphthalamide，聚對(duì)苯二酰對(duì)苯二胺)支架的LED封裝器件通過(guò)注塑成型帶有缺角的支架，并通過(guò)缺角標(biāo)識(shí)正負(fù)極。然而，由于工藝和尺寸的限制，芯片級(jí)LED封裝器件很難通過(guò)上述成型工藝實(shí)現(xiàn)正負(fù)極的區(qū)分，進(jìn)而芯片級(jí)LED封裝器件在應(yīng)用端應(yīng)用時(shí)無(wú)法快速的區(qū)分正負(fù)極，影響生產(chǎn)效率。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種芯片級(jí)LED封裝器件，旨在通過(guò)設(shè)置標(biāo)記而判斷該芯片級(jí)LED封裝器件的正極或負(fù)極。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種芯片級(jí)LED封裝器件，所述芯片級(jí)LED封裝器件包括：倒裝芯片；覆膜層，覆蓋于所述倒裝芯片上；標(biāo)記，設(shè)于所述覆膜層上，用于標(biāo)識(shí)所述倒裝芯片的正極和/或負(fù)極。

優(yōu)選地，所述標(biāo)記為形成于所述覆膜層的表面的凹陷結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述標(biāo)記為多個(gè)間隔設(shè)置的凹點(diǎn)。

優(yōu)選地，所述標(biāo)記為可分離設(shè)于所述覆膜層的表面的凸起結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述標(biāo)記包括可分離粘貼于所述覆膜層的表面的粘貼層以及設(shè)于所述粘貼層上的熱縮性薄膜層。

優(yōu)選地，所述標(biāo)記為可光分解的光刻膠層。

優(yōu)選地，所述標(biāo)記呈多邊形、圓形、橢圓形、十字形或者“⊥”形。

優(yōu)選地，所述覆膜層包括覆蓋于所述倒裝芯片上的熒光層以及覆蓋于所述熒光層上的透鏡層，所述標(biāo)記設(shè)于所述透鏡層的表面。

優(yōu)選地，所述芯片級(jí)LED封裝器件還包括基板，所述倒裝芯片固晶于所述基板上。

此外，為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型還提供一種LED顯示裝置，所述LED顯示裝置包括安裝板以及陣列分布于所述安裝板上的多個(gè)芯片級(jí)LED封裝器件，所述芯片級(jí)LED封裝器件包括：倒裝芯片；覆膜層，覆蓋于所述倒裝芯片上；標(biāo)記，設(shè)于所述覆膜層上，用于標(biāo)識(shí)所述倒裝芯片的正極和/或負(fù)極。

本實(shí)用新型技術(shù)方案，通過(guò)在覆膜層上設(shè)置標(biāo)記，該標(biāo)記對(duì)應(yīng)倒裝芯片的正極和/或負(fù)極設(shè)置或者指向正極和/或負(fù)極設(shè)置，從而可以通過(guò)觀察該標(biāo)記而判斷芯片級(jí)LED封裝器件的正負(fù)極；因此，在應(yīng)用端應(yīng)用時(shí)，可快速識(shí)別電極極性，提高生產(chǎn)效率，避免電極連接錯(cuò)誤。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖示出的結(jié)構(gòu)獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型芯片級(jí)LED封裝器件第一實(shí)施例的俯視圖；

圖2為圖1中芯片級(jí)LED封裝器件沿A-A線的剖視圖；

圖3為本實(shí)用新型芯片級(jí)LED封裝器件第二實(shí)施例的俯視圖；

圖4為圖3中芯片級(jí)LED封裝器件沿B-B線的剖視圖；

圖5為本實(shí)用新型芯片級(jí)LED封裝器件第三實(shí)施例的俯視圖；

圖6為圖5中芯片級(jí)LED封裝器件沿C-C線的剖視圖；

圖7為本實(shí)用新型芯片級(jí)LED封裝器件第四實(shí)施例的俯視圖；

圖8為圖7中芯片級(jí)LED封裝器件沿D-D線的剖視圖；

圖9為圖7中芯片級(jí)LED封裝器件的制程示意圖。

本實(shí)用新型目的實(shí)現(xiàn)、功能特點(diǎn)及優(yōu)點(diǎn)將結(jié)合實(shí)施例，參照附圖做進(jìn)一步說(shuō)明。

具體實(shí)施方式