[實用新型]一種基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器有效
| 申請號： | 201621352613.2 | 申請日： | 2016-12-11 |
| 公開（公告）號： | CN206369714U | 公開（公告）日： | 2017-08-01 |
| 發明（設計）人： | 王艷艷;彭長四;陳林森 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | G01N27/12 | 分類號： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103 | 代理人： | 陶海鋒,孫周強 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 三維 多孔 石墨 薄膜 垂直 響應 氣體 傳感器 | ||
1.一種基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是：所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器包括第一電極、第二電極以及位于第一電極與第二電極之間的三維多孔石墨烯超薄膜；所述三維多孔石墨烯超薄膜的厚度為50～900納米，孔隙率為10%～80%。
2.根據權利要求1所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是：所述三維多孔石墨烯超薄膜位于第一電極外表面。
3.根據權利要求1所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是：所述三維多孔石墨烯超薄膜的孔徑為0.5～2納米。
4.根據權利要求1所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是：所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器還包括硅基底。
5.根據權利要求1所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是：所述第一電極、第二電極大小一致。
6.根據權利要求1所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是：所述第一電極、第二電極不接觸。
7.根據權利要求1所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是：所述第一電極與三維多孔石墨烯超薄膜固定連接。
8.根據權利要求1所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是，所述第二電極與三維多孔石墨烯超薄膜固定連接。
9.根據權利要求1所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是：所述三維多孔石墨烯超薄膜的厚度為80～500納米。
10.根據權利要求1所述基于三維多孔石墨烯超薄膜的垂直響應型氣體傳感器，其特征是：所述三維多孔石墨烯超薄膜的孔隙率為40%～60%。
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