[實用新型]無線通信裝置

有效

• 申請號: 201621305043.1
• 申請日: 2016-11-30
• 公開（公告）號: CN206194968U
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發明（設計）人: 王娟娟
• 申請（專利權）人: 無錫村田電子有限公司
• 主分類號: H01Q7/04
• 分類號: H01Q7/04;H01Q1/42;H01Q1/50
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司31100
• 代理人: 周全

技術領域

本實用新型涉及無線通信裝置，尤其涉及近距離無線通信系統中使用的無線通信裝置。

背景技術

射頻識別(RadioFrequencyIdentification：RFID，下文簡稱為RFID)技術是一種無接觸自動識別技術，它利用電磁波實現物品的自動識別。RFID作為費用系統、物品管理系統己得到普及。在RFID系統中，以非接觸方式來使讀寫器和RFID標簽進行無線通信，在這些器件之間收發高頻信號。讀寫器和RFID標簽分別包括：用于處理高頻信號的無線IC(Integrated Circuit：集成電路)芯片及用于發送和接收高頻信號的天線元件。

若例如是利用13.56MHz頻帶的HF頻帶RFID系統，則使用線圈天線來作為天線。并且，讀寫器側的線圈天線與RFID標簽側的線圈天線經由感應磁場進行耦合。這種RFID系統近年來也搭載在移動電話以及智能手機等中。即近場通信(NFC：Near Field Communication)系統。

近場通信又稱為近距離無線通信，是一種短距離的高頻無線通信技術，允許電子設備之間進行接觸式點對點數據傳輸交換數據。由于近場通信具有天然的安全性，因此，NFC技術被認為在手機支付等領域具有很大的應用前景。

在傳統的NFC天線應用中，通常將NFC天線輻射體、即柔性電路板設置在電池上方，同時為了減少電池對于NFC天線的負面影響，需要在柔性電路板與電池中間設置鐵氧體等導磁體。而且，為了防止天線信號被金屬殼體屏蔽，需要在金屬殼體上設置開口。

如圖1所示，線圈天線2通電后會與金屬殼體1的開口101產生電磁耦合，因此在金屬殼體1的開口101中感應出與流過線圈天線2的電流方向(虛線箭頭)相反方向(實線箭頭)的電流。沿著開口101的邊緣流過的電流由于邊緣效應而經由狹縫102的邊緣沿著金屬殼體1流動。因此，在俯視狀態下，沿著金屬殼體1的周圍流動的電流的方向與在線圈天線2中流動的電流的方向相同。因此，由金屬殼體1產生的磁場方向與由線圈天線2產生的磁場方向相同。而且，由于金屬殼體1的面積比線圈天線2大，因此能利用在金屬殼體1中流過的電流產生向大范圍擴展的磁場，通信距離得以擴大。

實用新型內容

實用新型所要解決的技術問題

圖2是示出上述現有結構下的磁場分布的示意圖。如圖2所示，在金屬殼體1上設有開口101，以供線圈天線2產生的磁場B通過，由此來進行通常的信號傳遞。但與此同時，由于導磁體3對磁場的引導作用，會將一部分磁場引導到金屬殼體1與電路基板4之間的內部區域，形成雜散磁場Bw。該雜散磁場Bw由于金屬殼體1的屏蔽作用而無法起到信號傳遞作用。由于線圈天線2產生的磁場總量守恒，因此，磁場B隨著雜散磁場Bw的增加而相應減少，導致通信能力降低。因此，希望能盡可能減少上述雜散磁場Bw。

本實用新型為了解決上述課題而完成，其目的在于提供一種能減少導磁體引起的雜散磁場從而進一步提高通信能力的無線通信裝置。

解決技術問題所采用的技術手段

本實用新型的一種無線通信裝置包括：包含金屬區域的殼體、線圈天線、導磁體、以及電路基板，所述導磁體設置在所述線圈天線與所述電路基板之間，其特征在于，在俯視狀態下，所述線圈天線的至少一部分不與所述金屬區域重疊，在俯視狀態下，所述線圈天線劃分為至少兩個部分，該至少兩個部分中磁通量最高的一個或多個部分與所述電路基板之間設置有所述導磁體，且該至少兩個部分中磁通量最低的一個或多個部分與所述電路基板之間不設置所述導磁體。

優選為，所述至少兩個部分是俯視狀態下與所述金屬區域重疊的重疊部分以及俯視狀態下不與所述金屬區域重疊的非重疊部分，所述重疊部分以及所述非重疊部分中磁通量最低的部分與所述電路基板之間不設置所述導磁體。

優選為，所述線圈天線的一側從所述金屬區域露出，且另一側被所述金屬區域覆蓋。

優選為，在俯視狀態下，所述線圈天線的兩側從所述金屬區域露出，中間部分被所述金屬區域覆蓋。

優選為，在俯視狀態下，所述線圈天線包圍所述金屬區域。

優選為，所述金屬區域設有開孔。

優選為，所述開孔與所述金屬區域的邊緣連通。

優選為，所述開孔由孔部以及與所述金屬區域的邊緣連通的狹縫構成。

優選為，在俯視狀態下，所述開孔與所述線圈天線至少部分重疊。

優選為，所述金屬區域的至少一部分的厚度小于其穿透深度。

優選為，所述重疊部分與所述天線線圈的面積比大于3：10，且所述導磁體僅設置于所述重疊部分與所述電路基板之間。