[實用新型]二氧化硅填充裝置有效
| 申請號： | 201621303326.2 | 申請日： | 2016-11-30 |
| 公開（公告）號： | CN206225339U | 公開（公告）日： | 2017-06-06 |
| 發明（設計）人： | 徐純;胡鵬飛;劉開來 | 申請（專利權）人： | 上海華力微電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/67 | 分類號： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 二氧化硅 填充 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種二氧化硅填充裝置，其特征在于，包括：噴頭、連接腔體、進氣主管道、第一進氣分支管道和第二進氣分支管道，所述第一進氣分支管道和第二進氣分支管道均與所述進氣主管道相連，所述進氣主管道與上述連接腔體一端連通，所述連接腔體的另一端與所述噴頭連通。
2.如權利要求1所述的二氧化硅填充裝置，其特征在于，所述第一進氣分支管道連接一氧氣供給裝置。
3.如權利要求2所述的二氧化硅填充裝置，其特征在于，所述第二進氣分支管道連接一氮氣供給裝置。
4.如權利要求2所述的二氧化硅填充裝置，其特征在于，所述第二進氣分支管道連接一惰性氣體供給裝置。
5.如權利要求3或4所述的二氧化硅填充裝置，其特征在于，所述第二進氣分支管道相比于所述第一進氣管道遠離所述連接腔體。
6.如權利要求1所述的二氧化硅填充裝置，其特征在于，所述第二進氣分支管道上安裝有手動閥。
7.如權利要求1所述的二氧化硅填充裝置，其特征在于，所述第二進氣分支管道上安裝有電磁閥。
8.如權利要求7所述的二氧化硅填充裝置，其特征在于，所述電磁閥連接一計時觸點裝置，所述計時觸點裝置控制所述電磁閥的開關。
9.如權利要求8所述的二氧化硅填充裝置，其特征在于，所述電磁閥為常關電磁閥。
10.如權利要求8所述的二氧化硅填充裝置，其特征在于，所述計時觸點裝置為常開計時觸點裝置。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
