[實(shí)用新型]具有環(huán)形絕緣層結(jié)構(gòu)的石墨烯硅基太陽(yáng)能電池

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201621282972.5
• 申請(qǐng)日: 2016-11-28
• 公開（公告）號(hào): CN206441744U
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 況亞偉;馬玉龍;倪志春;魏青竹;楊希峰;朱丹鳳;劉玉申;馮金福
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 常熟理工學(xué)院;蘇州騰暉光伏技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/0352
• 分類號(hào): H01L31/0352;H01L31/0745;H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙)32204
• 代理人: 張俊范

1.一種具有環(huán)形絕緣層結(jié)構(gòu)的石墨烯硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于，包括背電極，背電極上設(shè)置單晶硅片，單晶硅片上設(shè)置二氧化硅層，所述二氧化硅層是具有通孔的環(huán)狀結(jié)構(gòu)，二氧化硅層陷入單晶硅片的厚度為0.2～2μm，所述二氧化硅層的表面和由二氧化硅層通孔暴露的單晶硅片表面設(shè)置石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜表面設(shè)置前電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有環(huán)形絕緣層結(jié)構(gòu)的石墨烯硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述二氧化硅層陷入單晶硅片的厚度為0.8～1.2μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有環(huán)形絕緣層結(jié)構(gòu)的石墨烯硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述石墨烯薄膜為單層或多層石墨烯，厚度為1～100nm。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有環(huán)形絕緣層結(jié)構(gòu)的石墨烯硅基太陽(yáng)能電池，其特征在于，所述背電極材質(zhì)為Cu、Ag、Al、ZnO和ITO中的一種。