[實用新型]像素結構以及顯示面板有效
| 申請號: | 201621215706.0 | 申請日: | 2016-11-11 |
| 公開(公告)號: | CN206364015U | 公開(公告)日: | 2017-07-28 |
| 發明(設計)人: | 胡小敘 | 申請(專利權)人: | 昆山國顯光電有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 | 代理人: | 智云 |
| 地址: | 215300 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 像素 結構 以及 顯示 面板 | ||
技術領域
本實用新型涉及顯示技術領域,特別是涉及一種像素結構,以及包括該像素結構的顯示面板。
背景技術
隨著顯示技術的急速進步,作為顯示裝置核心的半導體元件技術也隨之得到了飛躍性的進步。對于現有的顯示裝置而言,有機發光二極管(Organic Light Emitting Diode,OLED)作為一種電流型發光器件,因其所具有的自發光、快速響應、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點而越來越多地被應用于高性能顯示領域當中。
OLED屏體的彩色化方法有許多種,現在較為成熟并已經成功量產的OLED彩色化技術是OLED蒸鍍技術,其采用傳統的RGB Stripe(RGB條狀)排列方式進行蒸鍍。其中畫面效果最好的是side-by-side(并置)的方式。side-by-side方式是在一個像素(Pixel)范圍內有紅、綠、藍(R、G、B)三個子像素(sub-pixel),每個子像素均呈四邊形,且各自具有獨立的有機發光元器件,它是利用蒸鍍成膜技術透過高精細金屬掩膜板(Fine Metal Mask,FMM)在array(陣列)基板上相應的像素位置形成有機發光元器件。制作高PPI(Pixel Per Inch,點每英寸)OLED屏體的技術重點在于精細及機械穩定性好的高精細金屬掩膜板,而高精細金屬掩膜板的關鍵在于像素及子像素的排布方式。
然而,由于高精細金屬掩膜板工藝以及蒸鍍工藝本身對位系統精度限制,使得OLED顯示面板的PPI較低,并且顯示效果不佳。
實用新型內容
本實用新型的目的在于,提供一種像素結構以及顯示面板,有利于提高顯示面板的PPI,并可以提高顯示面板的顯示效果。
為解決上述技術問題,本實用新型提供一種像素結構,包括:
第一類型像素和組合單元,所述第一類型像素和組合單元在一第一方向上依次間隔排列,所述第一類型像素和組合單元在一第二方向上依次間隔排列;
所述組合單元包括在第一方向上排列的一第二類型像素和一第三類型像素,所述第一類型像素包括在第一方向上排列兩個第一子像素,所述第二類型像素包括在第二方向上排列兩個第二子像素,所述第三類型像素包括在第二方向上排列兩個第三子像素;
其中,所述第一方向和第二方向相垂直。
進一步的,在所述像素結構中,所述第一子像素的開口面積大于所述第二子像素的開口面積,且所述第一子像素的開口面積大于所述第三子像素的開口面積。
進一步的,在所述像素結構中,所述第二子像素的開口面積等于所述第三子像素的開口面積。
進一步的,在所述像素結構中,所述第一類型像素在所述第二方向的中心軸與相鄰排的所述組合單元在所述第二方向的中心軸相重合。
進一步的,在所述像素結構中,所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的形狀均為矩形。
進一步的,在所述像素結構中,所述第一子像素、第二子像素、第三子像素分別為藍色子像素、紅色子像素和綠色子像素。
進一步的,在所述像素結構中,與第一類型像素相鄰的所述第二類型像素和所述第三類型像素間隔交替排列。
進一步的,在所述像素結構中,每一所述第一類型像素的頂點均相鄰一個所述第一子像素、一個所述第二子像素和一個所述第三子像素。
根據本實用新型的另一面,還提供一種顯示面板,包括如上任意一項所述的像素結構。
進一步的,在所述顯示面板中,所述顯示面板為液晶顯示面板、OLED顯示面板或LED顯示面板。
本實用新型提供的像素結構以及顯示面板具有以下優點:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





