[實用新型]非接觸電能傳輸系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201621197576.2 | 申請日: | 2016-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN206135561U | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 高增欣 | 申請(專利權(quán))人: | 北京恒泰萬博石油技術(shù)股份有限公司;煙臺恒泰油田科技開發(fā)有限公司 |
| 主分類號: | H02J50/12 | 分類號: | H02J50/12;H02M3/335;H02K47/06 |
| 代理公司: | 北京市盛峰律師事務(wù)所11337 | 代理人: | 梁艷 |
| 地址: | 100085 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 接觸 電能 傳輸 系統(tǒng) | ||
1.一種非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,按照電流方向依次包括:交流發(fā)電機、初級工頻整流濾波電路、高頻逆變電路、旋轉(zhuǎn)變壓器、次級高頻整流濾波電路、穩(wěn)壓電路和直流電機;所述旋轉(zhuǎn)變壓器包括轉(zhuǎn)子和定子,所述轉(zhuǎn)子位于所述定子的內(nèi)部,所述轉(zhuǎn)子可相對所述定子發(fā)生轉(zhuǎn)動,且所述轉(zhuǎn)子與所述定子之間留有氣隙,所述轉(zhuǎn)子的外圓面上設(shè)置有初級磁芯,所述定子的內(nèi)圓面上設(shè)置有次級磁芯,所述初級磁芯和所述次級磁芯均為E型磁芯,兩個所述E型磁芯的開口面相對,形成兩個小窗,在小窗內(nèi)分別設(shè)置有初級線圈和次級線圈。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,所述轉(zhuǎn)子的外圓面和所述定子的內(nèi)圓面上均沿軸線加工有若干均勻分布的矩形凹槽,所述初級磁芯和所述次級磁芯分別安裝在所述凹槽內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,所述初級線圈串聯(lián),所述次級線圈并聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,在所述高頻逆變電路和所述旋轉(zhuǎn)變壓器之間設(shè)置有初級補償電路,所述初級補償電路采用串聯(lián)補償電容方式。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,在所述旋轉(zhuǎn)變壓器和所述次級高頻整流濾波電路之間設(shè)置有次級補償電路,所述次級補償電路采用并聯(lián)補償電容方式。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,還包括DSP控制芯片,所述DSP控制芯片與所述高頻逆變電路連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,所述高頻逆變電路包括功率管和諧振極電容,所述功率管和諧振極電容并聯(lián)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,所述穩(wěn)壓電路采用反激式PWM變換器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,所述初級工頻整流濾波電路和所述次級高頻整流濾波電路均采用全橋整流、電容濾波電路。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非接觸電能傳輸系統(tǒng),其特征在于,還包括第一供電電路和第二供電電路,所述第一供電電路從所述初級主電路取電,為所述初級主電路的控制芯片和驅(qū)動芯片供電,所述第二供電電路從所述次級主電路取電,為所述次級主電路的控制芯片和驅(qū)動芯片供電;
所述交流發(fā)電機與所述旋轉(zhuǎn)變壓器之間的電路為初級主電路,所述旋轉(zhuǎn)變壓器與所述直流電機之間的電路為次級電路;
所述第一供電電路包括反激式穩(wěn)壓電路和多個電壓轉(zhuǎn)換芯片,所述反激式穩(wěn)壓電路從所述初級主電路穩(wěn)壓出12V直流電,通過多個所述電壓轉(zhuǎn)換芯片,將12V電壓轉(zhuǎn)化為需要的5V、3.3V和1.8V電壓;
所述第二供電電路包括反激式穩(wěn)壓電路和多個電壓轉(zhuǎn)換芯片,所述反激式穩(wěn)壓電路從所述次級主電路穩(wěn)壓出12V直流電,通過多個所述電壓轉(zhuǎn)換芯片,將12V電壓轉(zhuǎn)化為需要的5V電壓。
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