[實(shí)用新型]一種磁控濺射裝置及磁控濺射系統(tǒng)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201621197024.1 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-04 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206273836U | 公開(公告)日: | 2017-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 徐興;李澤宇;周媛;魏志英 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣漢川冶新材料有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/35 | 分類號(hào): | C23C14/35;C23C14/54 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11371 | 代理人: | 李佳 |
| 地址: | 618000 四川*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 磁控濺射 裝置 系統(tǒng) | ||
1.一種磁控濺射裝置,其特征在于,包括殼體,所述殼體內(nèi)設(shè)置有磁靶、靶材組件、用于安裝基材的爐盤和用于調(diào)整所述靶材組件與所述基材之間的磁場強(qiáng)度的緩沖組件,所述磁靶固定于所述殼體的內(nèi)壁并用于提供磁場,所述爐盤設(shè)置于所述殼體的內(nèi)壁并用于安裝基材,所述靶材組件設(shè)置于所述磁靶并與所述爐盤相對(duì)設(shè)置,所述緩沖組件設(shè)置于所述靶材組件和所述磁靶之間,所述緩沖組件包括驅(qū)動(dòng)裝置和至少兩個(gè)依次疊放的調(diào)整板,每個(gè)所述調(diào)整板通過所述驅(qū)動(dòng)裝置移入或移出工作區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射裝置,其特征在于,所述殼體的內(nèi)壁開設(shè)有用于容納所述調(diào)整板的容置腔室,所述容置腔室遠(yuǎn)離所述殼體的一側(cè)設(shè)置有用于打開或關(guān)閉所述容置腔室的活動(dòng)板。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射裝置,其特征在于,所述驅(qū)動(dòng)裝置包括電機(jī),所述電機(jī)與所述調(diào)整板之間通過連桿連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射裝置,其特征在于,每個(gè)所述調(diào)整板的厚度2-4cm,相鄰兩個(gè)所述調(diào)整板的厚度相同或不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁控濺射裝置,其特征在于,所述調(diào)整板由多個(gè)調(diào)整塊拼接組成,每個(gè)所述調(diào)整塊通過所述連桿與驅(qū)動(dòng)裝置連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁控濺射裝置,其特征在于,所述調(diào)整塊在水平面上的投影為等腰三角形,相鄰兩個(gè)所述調(diào)整塊的移動(dòng)方向相互垂直。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射裝置,其特征在于,所述靶材組件包括固定連接的金屬靶材和背板,所述背板可拆卸連接于所述磁靶。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁控濺射裝置,其特征在于,所述金屬靶材包括一體成型的基底和凸臺(tái),所述基底具有上表面和下表面,所述背板設(shè)有凹槽,所述凹槽由底面和周面圍合而成,所述基底的所述下表面焊接于所述凹槽的所述底面,所述基底的所述上表面設(shè)有鋸齒狀凸起,所述上表面與所述背板靠近所述凸臺(tái)的一面位于同一平面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的磁控濺射裝置,其特征在于,所述背板遠(yuǎn)離所述凸臺(tái)的一側(cè)開設(shè)有多個(gè)散熱通道,多個(gè)所述散熱通道間隔均勻分布。
10.一種磁控濺射系統(tǒng),其特征在于,包括權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的磁控濺射裝置,以及與所述磁控濺射裝置相匹配的控制系統(tǒng)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于廣漢川冶新材料有限責(zé)任公司,未經(jīng)廣漢川冶新材料有限責(zé)任公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201621197024.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





