[實(shí)用新型]一種具有閃耀波導(dǎo)側(cè)壁光柵和亞波長光柵結(jié)構(gòu)的解復(fù)用器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201621194461.8 | 申請(qǐng)日: | 2016-11-02 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206133061U | 公開(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 韓佳暉;張艷;梁家理 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國計(jì)量大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G02B6/12 | 分類號(hào): | G02B6/12 |
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| 地址: | 310018 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 閃耀 波導(dǎo) 側(cè)壁 光柵 波長 結(jié)構(gòu) 解復(fù)用器 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光柵結(jié)構(gòu)的解復(fù)用器,特別是涉及一種具有閃耀波導(dǎo)側(cè)壁光柵和亞波長光柵結(jié)構(gòu)的解復(fù)用器。
背景技術(shù)
在光譜和傳感領(lǐng)域,基于陣列波導(dǎo)光柵和中階梯光柵的波長解復(fù)用器已經(jīng)用于波分復(fù)用的通信網(wǎng)絡(luò),絕緣體上硅(SOI)平臺(tái)的高折射率對(duì)比度允許亞微米尺寸的波導(dǎo)和小到幾微米的波導(dǎo)彎曲半徑,從而明顯地減小器件的尺寸。直至目前,已經(jīng)報(bào)道了使用SOI波導(dǎo)的幾個(gè)非常緊湊的陣列波導(dǎo)光柵,然而非常緊湊的陣列波導(dǎo)光柵解復(fù)用器也有著由于波導(dǎo)側(cè)壁粗糙度引起的散射損耗和相位誤差,二者都會(huì)限制串?dāng)_性能,由于相位延遲發(fā)生在平板波導(dǎo)中,而在波導(dǎo)陣列中不會(huì)發(fā)生,也就是說基于平面波導(dǎo)中間光柵的解復(fù)用器能夠避免部分問題。
衍射光柵一種重要的分光器件,在成像、信息處理、計(jì)量、集成光學(xué)和光通信等新興領(lǐng)域被越來越多地采用,而當(dāng)光柵刻劃成鋸齒形的線槽斷面時(shí),光柵的光能量便集中在預(yù)定的方向上,即閃耀光柵某一級(jí)光譜上。從這個(gè)方向探測(cè)時(shí),光譜的強(qiáng)度最大,極大地提高了光柵的衍射效率。
基于波導(dǎo)中階光柵的幾個(gè)多路分解器裝置最近也在硅與二氧化硅層和SOI波導(dǎo)中制造,制造中階梯光柵解復(fù)用器的主要挑戰(zhàn)是制作平滑垂直光柵面,控制偏振相關(guān)波長漂移,并減少偏振相關(guān)損耗,這些問題已經(jīng)在基于玻璃波導(dǎo)的中階梯光柵器件中成功克服,但在基于絕緣硅的器件中沒有完全解決。
由于SOI具有極低的傳輸損耗,使得以SOI為基礎(chǔ)的光波導(dǎo)器件得到了迅速發(fā)展。對(duì)于普通的光波導(dǎo),光線會(huì)沿著折射率高的芯層傳播。但是,隨著光波導(dǎo)在集成模塊的應(yīng)用,波導(dǎo)尺寸越來越小,在波導(dǎo)制造過程當(dāng)中,刻蝕所引起的粗糙會(huì)極大的增加波導(dǎo)的損耗。亞波長光柵波導(dǎo)的出現(xiàn)減小了刻蝕的粗糙對(duì)波導(dǎo)損耗的影響,同時(shí)也提供給了一種可以定制材料折射率的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,本實(shí)用新型提供一種具有閃耀波導(dǎo)側(cè)壁光柵和亞波長光柵結(jié)構(gòu)的解復(fù)用器,該解復(fù)用器能夠?qū)崿F(xiàn)不同波長的截取,對(duì)于光互連和粗波分復(fù)用中的應(yīng)用是特別有前景的,具有尺寸緊湊、寬帶操作和定制通帶的優(yōu)勢(shì)。
本實(shí)用新型解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案為:
一種具有閃耀波導(dǎo)側(cè)壁光柵和亞波長光柵結(jié)構(gòu)的解復(fù)用器,包括接收器波導(dǎo)陣列(1)、亞波長光柵(7)、閃耀側(cè)壁光柵(3)、羅蘭圓(4)、SiO2層(5)和Si層(6),其中接收器波導(dǎo)陣列(1)在半徑為R的羅蘭圓(4)上并與輸入閃耀側(cè)壁光柵(3)中的波導(dǎo)方向相切,亞波長光柵折射率AR邊界(2)與閃耀側(cè)壁光柵(3)平行,兩組SiO2層(5)和Si層(6)交互覆蓋,Si層(6)置于最下方,SiO2層(5)置于最上方,閃耀側(cè)壁光柵(3)和亞波長光柵(7)在最上方。
所述的閃耀側(cè)壁光柵(3)由彎曲的硅波導(dǎo)形成得以提供聚焦,是以解復(fù)用器中心波長焦點(diǎn)為中心,半徑為2R的弧形。
所述的解復(fù)用器裝置占用面積為90μm×140μm且裝置波長間距為25nm,共15個(gè)通道,有375nm的工作寬帶。
所述的亞波長光柵(7)采用三角形齒的亞波長光柵折射率AR邊界(2)。
本實(shí)用新型的有益效果:所采用的置于硅波導(dǎo)截面的溝槽和板狀區(qū)域之間的邊界處的三角齒形的亞波長光柵折射率AR邊界(2)的菲涅爾反射率降低,光柵的亞波長性質(zhì)被抑制。與單層AR涂層相比,亞波長光柵折射率AR邊界(2)生產(chǎn)更加容易,也提供了更大的光譜帶寬。不僅如此,所設(shè)計(jì)的復(fù)用器還可以通過增加羅蘭圓(4)的半徑擴(kuò)展到密集型光波復(fù)用領(lǐng)域的應(yīng)用,由此使得焦平面上產(chǎn)生更大的通道間隔,與中階梯光柵不同,本設(shè)備允許通過間距和光柵切趾的修改從而改變衍生場(chǎng)的相位和強(qiáng)度,此外,設(shè)計(jì)的另一優(yōu)點(diǎn)是不需要波導(dǎo)相控陣列,這意味著與AWG相比較小的器件尺寸的明顯優(yōu)點(diǎn),由于光在單個(gè)波導(dǎo)中傳播,因此減小了由于波導(dǎo)缺陷而導(dǎo)致的總損耗和相位誤差累積的影響。
附圖說明
下面結(jié)合附圖及具體方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說明。
圖1是本實(shí)用新型一種閃耀光柵波導(dǎo)側(cè)壁及亞波長光柵結(jié)構(gòu)解復(fù)用器結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2是本實(shí)用新型一種閃耀光柵波導(dǎo)側(cè)壁及亞波長光柵結(jié)構(gòu)解復(fù)用器光柵側(cè)壁與亞波長光柵示意圖。
圖中,1為接收器陣列波導(dǎo);2為亞波長光柵折射率AR邊界;3為閃耀光柵側(cè)壁;4為羅蘭圓;5為SiO2層;6為Si層;7為亞波長光柵。
具體實(shí)施方式
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