[實用新型]用于MTK手機的上電開機電路

有效

• 申請號: 201621194290.9
• 申請日: 2016-10-28
• 公開（公告）號: CN206136064U
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: 熊安華;陳德方
• 申請（專利權）人: 上海銀滬通信科技有限公司
• 主分類號: H04M1/78
• 分類號: H04M1/78;H03K19/0185
• 代理公司: 北京挺立專利事務所(普通合伙)11265
• 代理人: 倪鉅芳

技術領域

本實用新型涉及手機技術領域，尤其是涉及一種用于MTK手機的上電開機電路。

背景技術

MTK手機平臺上，通常開機方式有兩種(此兩組情況電池均安裝在手機內)，一種是按開機鍵開機，另一種是插入充電器亮屏開機，但是，傳統開機方式尚無法滿足例如手機內部沒有電池而接入外部電源時如何自動開機的問題，本申請旨在解決上述情況下需要上電開機的需求。

實用新型內容

本實用新型的目的就是為了解決上述問題，提供一種用于MTK手機的上電開機電路。

為解決上述技術問題，本實用新型的實施方式提供了一種用于MTK手機的上電開機電路，其包括：第一場效應管Q2003，該第一場效應管Q2003的源極S接地，該第一場效應管Q2003的漏極D通過電阻R2007而接于電源VBAT_4V，且在第一場效應管Q2003的源極S與電阻R2007之間通過線路而接有電阻R2008，該電阻R2008另一端接有開機信號接口PWEKEY，該開機信號接口PWEKEY連接于手機電源管理芯片，第一場效應管Q2003的柵極G通過電阻R2004而接于電源VBAT_4V,且在第一場效應管Q2003的柵極G與源極S間接有電阻R2006，第一場效應管Q2003的柵極G與電阻R2004間接有第二場效應管Q2002，該第二場效應管Q2002的源極S接地，第二場效應管Q2002的柵極G通過電阻R2005而接于芯片MT6735。

與現有技術相比，本實用新型提供的一種用于MTK手機的上電開機電路結構簡單，其利用一個開機默認低電平的GPIO控制第二場效應管Q2002的NMOS管，從而實現上電開機的需求。

進一步，第一場效應管Q2003、第二場效應管Q2002為WNM2030。

進一步，電阻R2008的阻值為1K。

進一步，電阻R2007的阻值為1M。

進一步，電阻R2004的阻值為100K。

進一步，電阻R2005的阻值為10K。

進一步，電阻R2006的阻值為150K。

進一步，電源VBAT_4V為4V電源。

該電路以兩個普通NMOS管配置相應的外圍電路則能夠滿足用戶對于上電開機的功能需要。

附圖說明

圖1為用于MTK手機的上電開機電路原理圖。

具體實施方式

為了使本實用新型實現的技術手段、創作特征、達成目的與功效易于明白了解，下面結合具體實施例，進一步闡述本實用新型。

本實用新型的實施方式提供了一種用于MTK手機的上電開機電路(以下簡稱“該電路”)，參見圖1，其包括：由WNM2030構成的第一場效應管Q2003，該第一場效應管Q2003的源極S接地，該第一場效應管Q2003的漏極D通過電阻R2007而接于電源VBAT_4V，且在第一場效應管Q2003的源極S與電阻R2007之間通過線路而接有電阻R2008，該電阻R2008另一端接有開機信號接口PWEKEY，該開機信號接口PWEKEY連接于手機電源管理芯片，第一場效應管Q2003的柵極G通過電阻R2004而接于電源VBAT_4V,且在第一場效應管Q2003的柵極G與源極S間接有電阻R2006，第一場效應管Q2003的柵極G與電阻R2004間接有第二場效應管Q2002，其型號同樣選擇WNM2030，該第二場效應管Q2002的源極S接地，第二場效應管Q2002的柵極G通過電阻R2005而接于芯片MT6735。

該電路利用一個開機默認低電平的GPIO控制第二場效應管Q2002的NMOS管，從而實現上電開機的需求。

本實施方式中，各電阻的阻值具體參數如下：

電阻R2008的阻值為1K。

電阻R2007的阻值為1M。

電阻R2004的阻值為100K。

電阻R2005的阻值為10K。

電阻R2006的阻值為150K。

電源VBAT_4V為4V電源。

本領域的普通技術人員可以理解，上述各實施方式是實現本實用新型的具體實施例，而在實際應用中，可以在形式上和細節上對其作各種改變，而不偏離本實用新型的精神和范圍。