[實用新型]一種晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極有效
| 申請號: | 201621189368.8 | 申請日: | 2016-10-26 |
| 公開(公告)號: | CN206148443U | 公開(公告)日: | 2017-05-03 |
| 發明(設計)人: | 王舉亮;宋志成;吳翔;陳璐;倪玉鳳 | 申請(專利權)人: | 國家電投集團西安太陽能電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 上海碩力知識產權代理事務所31251 | 代理人: | 郭桂峰 |
| 地址: | 710100 陜西*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽電池 二次 印刷 正面 套印 電極 | ||
技術領域
本實用新型涉及晶硅太陽電池技術領域,尤其涉及一種晶硅太陽電池二次印刷正面電極結構。
背景技術
太陽能光伏產業的迅速發展,需要不斷降低物料成本,提高晶硅太陽電池的轉換效率,降低生產成本,提高發電量。
晶體硅太陽電池是將太陽能轉化成電能的半導體器件,器件的大小和正面柵線遮光面積直接決定最終的發電功率,為了獲得更高的電池轉換效率,需要印刷更細的副柵線,減少遮光面積,提高電流,從而提高晶硅太陽電池轉換效率。
在晶硅太陽電池的生產中,正面電極的圖形根據工藝水平,不停的在優化,降低遮光面積,提高轉換效率,因此,有必要對晶硅太陽電池的正面電極進行改進。
實用新型內容
本實用新型提供一種晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極,從而降低遮光面積,進一步提高晶硅太陽電池的轉換效率。
本實用新型提供如下技術方案:
一種晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極,所述正面套印電極設置在晶硅太陽電池的正面,包括第一層圖形和第二層圖形,其中,
所述第一層圖形包括若干根第一副柵線,若干根主柵線預留位置,主柵線連接處漸變,若干第一Mark點,若干防EL斷柵,若干印刷邊框線及若干第一特征圖形,其中,所述若干根第一副柵線相互平行設置,所述第一副柵線區域的邊緣設置所述印刷邊框線,所述第一副柵線上設置所述主柵線預留位置,所述若干根主柵線預留位置相互平行設置且與所述第一副柵線垂直,所述第一副柵線與所述主柵線預留位置連接處設置主柵線連接處漸變,所述主柵線預留位置設置第一Mark點,所述若干根第一副柵線之間間隔且垂直設置所述防EL斷柵,所述印刷邊框線上設置所述第一特征圖形;
所述第二層圖形包括若干根主柵線、若干根第二副柵線、若干第二Mark點及若干第二特征圖形,其中,所述若干根主柵線相互平行設置且所述主柵線上設置第二Mark點,所述主柵線寬度大于所述主柵線預留位置的寬度,所述若干根第二副柵線相互平行設置且垂直于所述主柵線,所述第二副柵線區域的邊緣設置所述第二特征圖形,所述第二副柵線與所述第一副柵線位置對應,所述第二Mark點與所述第一Mark點位置對應,所述第二特征圖形與所述第一特征圖形位置對應。
優選的,上述的晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極中,所述主柵線預留位置和所述主柵線的數量各為1至20條,寬度在100至1500um。
優選的,上述的晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極中,所述第一副柵線和所述第二副柵線的數量各為96至140根,寬度在15至40um。
優選的,上述的晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極中,所述主柵線,第一副柵線及第二副柵線長度為155至165mm。
優選的,上述的晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極中,所述第一Mark點和第二Mark點數量各為4個,6個或8個。
優選的,上述的晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極中,所述第一特征圖形和第二特征圖形各為4個,6個或8個。
優選的,上述的晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極中,所述主柵線連接處漸變最窄寬度為10至40um,最寬處寬度為100至500um,長度為100至2000um。
優選的,上述的晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極中,所述防EL斷柵設置在兩根所述主柵線之間,數量為2至15排。
優選的,上述的晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極中,所述晶硅太陽電池的形狀為正方片或四角帶有圓弧的準方片,其中圓弧的直徑大于200mm。
優選的,上述的晶硅太陽電池二次印刷正面套印電極中,所述晶硅太陽電池的基材為單晶硅或多晶硅。
本實用新型由于采用以上技術方案,使得所述第一層圖形和所述第二層圖形通過所述第一Mark點和所述第二Mark點進行對準,通過所述第一特征圖形和所述第二特征圖形對對準精度進行確認或調整。這種設計縮短偏移的調整時間和發生錯位的幾率,提高對準精度,此外。可實現更細的副柵線印刷,降低遮光面積,提高電流,從而提高晶硅太陽電池轉換效率。
附圖說明
圖1為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的示意圖;
圖2A為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的主柵連接處漸變的局部放大圖;
圖2B為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的第一Mark點的局部放大圖;
圖2C為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的防EL斷柵的局部放大圖;
圖2D為本實用新型的二次印刷套印第一層圖形的第一特征圖形的局部放大圖;
圖3為本實用新型的二次印刷套印第二層圖形示意圖;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于國家電投集團西安太陽能電力有限公司,未經國家電投集團西安太陽能電力有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201621189368.8/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種晶硅太陽電池二次印刷正面電極結構
- 下一篇:高轉化效率雙面發電光伏組件
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





