[實用新型]一種臺面二極管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201621185134.6
• 申請日: 2016-11-04
• 公開（公告）號: CN206148437U
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發(fā)明（設計）人: 馮春陽;李學良;馬曉潔;戴建定;唐毅
• 申請（專利權）人: 四川洪芯微科技有限公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861
• 代理公司: 湖州金衛(wèi)知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙)33232
• 代理人: 趙衛(wèi)康

1.一種臺面二極管，包括具有主溝槽的臺面結構、覆蓋在所述主溝槽的表面的鈍化層，所述臺面結構的PN結至少部分裸露于所述主溝槽的表面；其特征在于：所述臺面結構還包括副溝槽，所述副溝槽設于所述主溝槽和所述電極之間，所述鈍化層由所述主溝槽的表面延伸至所述副溝槽的表面并且覆蓋所述副溝槽的表面。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種臺面二極管，其特征在于：所述副溝槽的深度小于所述主溝槽的深度。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種臺面二極管，其特征在于：所述副溝槽和所述主溝槽之間設有反型溝道阻斷部。

4.根據(jù)權利要求3所述的一種臺面二極管，其特征在于：所述臺面結構包括用于形成所述PN結的N區(qū)和P區(qū)，所述電極包括由所述P區(qū)引出的陽極和由所述N區(qū)引出的陰極；所述主溝槽和所述副溝槽形成于所述P區(qū)。

5.根據(jù)權利要求4所述的一種臺面二極管，其特征在于：所述P區(qū)包括與N區(qū)接觸的P-區(qū)和設于所述P-區(qū)頂部的P+區(qū)；所述主溝槽和所述副溝槽之間的P+區(qū)形成所述反型溝道阻斷部，所述副溝槽與所述PN結之間設有隔離部。

6.根據(jù)權利要求4所述的一種臺面二極管，其特征在于：所述副溝槽的深度小于P+區(qū)的厚度。

7.根據(jù)權利要求5所述的一種臺面二極管，其特征在于：所述N區(qū)包括與所述P區(qū)接觸的N-區(qū)，所述N-區(qū)的底部設有N+區(qū)，所述陰極由所述N+區(qū)引出。

8.根據(jù)權利要求1所述的一種臺面二極管，其特征在于：所述鈍化層為玻璃鈍化層。