[實用新型]具有粗化電流擴展層的GaAs基LED芯片有效
| 申請號： | 201621174501.2 | 申請日： | 2016-11-02 |
| 公開（公告）號： | CN206163513U | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 李曉明;閆寶華;王建華;陳康;劉琦 | 申請（專利權）人： | 山東浪潮華光光電子股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22;H01L33/14;H01L33/00;H01L33/36 |
| 代理公司： | 濟南日新專利代理事務所37224 | 代理人： | 王書剛 |
| 地址： | 261061 *** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 具有 電流 擴展 gaas led 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種具有粗化電流擴展層的GaAs基LED芯片，包括N電極、GaAs襯底和外延層，N電極、GaAs襯底和外延層自下至上依次設置，其特征是，外延層上設置有電流擴展層，電流擴展層上設置有p電極，p電極外圍的電流擴展層為粗化電流擴展層。
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