[實(shí)用新型]一種光電信號(hào)轉(zhuǎn)換處理裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201621134984.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN206134699U | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-04-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 秦炎福 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 安徽科技學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | H01L31/09 | 分類號(hào): | H01L31/09;H01L31/0203 |
| 代理公司: | 常州佰業(yè)騰飛專利代理事務(wù)所(普通合伙)32231 | 代理人: | 翁斌 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 光電 信號(hào) 轉(zhuǎn)換 處理 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及光電轉(zhuǎn)換技術(shù)領(lǐng)域,具體為一種光電信號(hào)轉(zhuǎn)換處理裝置。
背景技術(shù)
光敏電阻又稱光導(dǎo)管,光敏電阻器一般用于光的測(cè)量、光的控制和光電轉(zhuǎn)換(將光的變化轉(zhuǎn)換為電的變化)。常用的光敏電阻器硫化鎘光敏電阻器,它是由半導(dǎo)體材料制成的。光敏電阻器的阻值隨入射光線(可見(jiàn)光)的強(qiáng)弱變化而變化,在黑暗條件下,它的阻值(暗阻)可達(dá)1-10M歐,在強(qiáng)光條件(100LX)下,它阻值(亮阻)僅有幾百至數(shù)千歐姆。光敏電阻器對(duì)光的敏感性(即光譜特性)與人眼對(duì)可見(jiàn)光(0.4-0.76)微米的響應(yīng)很接近,只要人眼可感受的光,都會(huì)引起它的阻值變化。設(shè)計(jì)光控電路時(shí),都用白熾燈泡(小電珠)光線或自然光線作控制光源,使設(shè)計(jì)大為簡(jiǎn)化。
現(xiàn)有的光敏電阻在整個(gè)基板上均涂覆了光敏層,因此對(duì)光敏層所用材料造成了浪費(fèi),由于一般光敏層所用材料為鎘化物,當(dāng)在整個(gè)基板表面涂覆光敏層時(shí),該光敏電阻的鎘含量通常將達(dá)到幾千ppm,也不利于環(huán)保。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的在于提供一種光電信號(hào)轉(zhuǎn)換處理裝置,以解決上述背景技術(shù)中提出的問(wèn)題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:一種光電信號(hào)轉(zhuǎn)換處理裝置,包括金屬基座,所述金屬基座上方設(shè)有金屬殼體,所述金屬基座內(nèi)部下方設(shè)有陶瓷基板,所述陶瓷基板的上方設(shè)有半導(dǎo)體光敏層,所述半導(dǎo)體光敏層上方左側(cè)設(shè)有正電極,所述半導(dǎo)體光敏層上方右側(cè)設(shè)有負(fù)電極,所述金屬基座下方左側(cè)設(shè)有正電極引腳,所述正電極引腳貫穿金屬基座內(nèi)部的陶瓷基板和半導(dǎo)體光敏層,且延伸至正電極的上方,所述金屬基座下方右側(cè)設(shè)有負(fù)電極引腳,所述負(fù)電極引腳貫穿金屬基座內(nèi)部的陶瓷基板和半導(dǎo)體光敏層,且延伸至負(fù)電極的上方。
優(yōu)選的,所述金屬殼體的外表面設(shè)有防潮膜,所述正電極和正電極引腳電性連接,所述負(fù)電極和負(fù)電極引腳電性連接。
優(yōu)選的,所述半導(dǎo)體光敏層的面積小于陶瓷基板的面積,所述金屬基座的外表面均設(shè)有環(huán)氧型樹(shù)脂層。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的有益效果是:本光電信號(hào)轉(zhuǎn)換處理裝置,在金屬殼體內(nèi)部的陶瓷基板上設(shè)有小于陶瓷基板面積的半導(dǎo)體光敏層,節(jié)省了光敏電阻的制作材料,同時(shí),減少的半導(dǎo)體光敏層涂覆空間也減少了正電極和負(fù)電極設(shè)置所需要的材料,有效提高了光敏電阻的環(huán)保水平。
附圖說(shuō)明
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本實(shí)用新型俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中:1金屬基座、2陶瓷基板、3半導(dǎo)體光敏層、4正電極、5金屬殼體、6負(fù)電極、7防潮膜、8負(fù)電極引腳、9正電極引腳。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖,對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
請(qǐng)參閱圖1-2,本實(shí)用新型提供一種技術(shù)方案:一種光電信號(hào)轉(zhuǎn)換處理裝置,包括金屬基座1,所述金屬基座1上方設(shè)有金屬殼體5,所述金屬基座1內(nèi)部下方設(shè)有陶瓷基板2,所述陶瓷基板2的上方設(shè)有半導(dǎo)體光敏層3,所述半導(dǎo)體光敏層3上方左側(cè)設(shè)有正電極4,所述半導(dǎo)體光敏層3上方右側(cè)設(shè)有負(fù)電極6,所述金屬基座1下方左側(cè)設(shè)有正電極引腳9,所述正電極引腳9貫穿金屬基座1內(nèi)部的陶瓷基板2和半導(dǎo)體光敏層3,且延伸至正電極4的上方,所述金屬基座1下方右側(cè)設(shè)有負(fù)電極引腳8,所述負(fù)電極引腳8貫穿金屬基座1內(nèi)部的陶瓷基板2和半導(dǎo)體光敏層3,且延伸至負(fù)電極6的上方,所述金屬殼體5的外表面設(shè)有防潮膜7,所述正電極4和正電極引腳9電性連接,所述負(fù)電極6和負(fù)電極引腳8電性連接,所述半導(dǎo)體光敏層3的面積小于陶瓷基板2的面積,所述金屬基座1的外表面均設(shè)有環(huán)氧型樹(shù)脂層。
工作原理:在金屬殼體5內(nèi)部的陶瓷基板2上設(shè)有小于陶瓷基板2面積的半導(dǎo)體光敏層3節(jié)省了光敏電阻的制作材料,同時(shí),減少的半導(dǎo)體光敏層3涂覆空間也減少了正電極4和負(fù)電極5設(shè)置所需要的材料,有效提高了光敏電阻的環(huán)保水平。其中金屬殼體5的外表面設(shè)有防潮膜7可防止雨水進(jìn)入。
盡管已經(jīng)示出和描述了本實(shí)用新型的實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本實(shí)用新型的原理和精神的情況下可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行多種變化、修改、替換和變型,本實(shí)用新型的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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