[實用新型]一種硅基短/中波疊層雙色碲鎘汞材料

有效

• 申請號: 201621124857.5
• 申請日: 2016-10-14
• 公開（公告）號: CN206388713U
• 公開（公告）日: 2017-08-08
• 發明（設計）人: 王經緯;高達;王叢;劉銘;強宇;周立慶
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十一研究所
• 主分類號: H01L31/0296
• 分類號: H01L31/0296;H01L31/18
• 代理公司: 工業和信息化部電子專利中心11010
• 代理人: 張然

1.一種硅基短/中波疊層雙色碲鎘汞材料，其特征在于，包括：硅基復合襯底，以及在所述硅基復合襯底上由下到上依次排列的碲鎘汞短波吸收層、碲鎘汞阻擋層和碲鎘汞中波吸收層；

所述碲鎘汞短波吸收層為Hg_1-xCd_xTe，其中x＝0.4；

所述碲鎘汞阻擋層為Hg_1-xCd_xTe，其中x＝0.5；

所述碲鎘汞中波吸收層為Hg_1-xCd_xTe，其中x＝0.3。

2.如權利要求1所述的硅基短/中波疊層雙色碲鎘汞材料，其特征在于，所述硅基復合襯底由下到上依次包括：硅襯底、在所述硅襯底上依次排列的砷鈍化層、碲化鋅緩沖層、以及碲化鎘緩沖層。

3.如權利要求1或2所述的硅基短/中波疊層雙色碲鎘汞材料，其特征在于，

所述碲鎘汞短波吸收層的厚度為5～6μm；

所述碲鎘汞阻擋層的厚度為1.0～1.2μm；

所述碲鎘汞中波吸收層的厚度為4.5～4.8μm。

4.如權利要求3所述的硅基短/中波疊層雙色碲鎘汞材料，其特征在于，

所述碲鎘汞短波吸收層的厚度為5μm；

所述碲鎘汞阻擋層的厚度為1.2μm；

所述碲鎘汞中波吸收層的厚度為4.5μm。