[實用新型]一種高精度高動態范圍的全差分放大器電路有效
| 申請號: | 201621123274.0 | 申請日: | 2016-10-14 |
| 公開(公告)號: | CN206259909U | 公開(公告)日: | 2017-06-16 |
| 發明(設計)人: | 謝亮;陸序長;張文杰;金湘亮 | 申請(專利權)人: | 湘潭芯力特電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H03F1/02 | 分類號: | H03F1/02;H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 411104 湖南省湘*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 高精度 動態 范圍 差分放大器 電路 | ||
1.一種高精度高動態范圍的全差分放大器電路,其特征在于:所述電路包括運放輸入級(1)、運放中間級(2)、運放輸出級(3)、共模反饋模塊(4)、第一至第二電阻和第一至第二電容;其中,運放輸入級(1)的第一輸入端、第二輸入端分別作為運放輸入級(1)的同相輸入端、反相輸入端,運放輸入級(1)的第一輸出端、運放中間級(2)的第一輸入端與共模反饋模塊(4)的第一輸出端相互連接,運放輸入級(1)的第二輸出端、運放中間級(2)的第二輸入端與共模反饋模塊(4)的第二輸出端相互連接;運放中間級(2)的第一、第二、第三、第四輸出端分別與運放輸出級(3)的第一、第二、第三、第四輸入端相連接;運放輸出級(3)的第一輸出端、第二輸出端分別作為運放輸出級(3)的反相輸入端、同相輸入端;運放輸出級(3)的反相輸出端與第一電阻的一端、第一電容的一端相互連接,運放輸出級(3)的同相輸出端與第二電阻的一端、第二電容的一端相互連接,第一電阻、第一電容、第二電阻、第二電容的另一端與共模反饋模塊(4)的第一輸入端相互連接;共模反饋模塊(4)的第二輸入端外接參考電壓Vref。
2.如權利要求1所述的一種高精度高動態范圍的全差分放大器電路,其特征在于:所述運放輸入級(1)包括第一至第六P型MOS管、第一斬波開關組;第一斬波開關組的第一輸入端與運放輸入級(1)的同相輸入端相連接,第一斬波開關組的第二輸入端與運放輸入級(1)的反相輸入端相連接;第一P型MOS管的源極與電源相連接,第一P型MOS管的漏極與第二P型MOS管的源極相連接,第一、第二P型MOS管的柵極與電壓偏置VP1相連接,第三、第四P型MOS管的源極與第二P型MOS管的漏極相連接,第三P型MOS管的漏極與第五P型MOS管的源極相連接,第三P型MOS管的柵極、第五P型MOS管的柵極與第一斬波開關組的第一輸出端相連接,第四P型MOS管的漏極與第六P型MOS管的源極相連接,第四P型MOS管的柵極、第六P型MOS管的柵極與第一斬波開關組的第二輸出端相連接,第五P型MOS管的漏極作為運放輸入級(1)的第一輸出端,第六P型MOS管漏極作為運放輸入級(1)的第二輸出端。
3.如權利要求2所述的一種高精度高動態范圍的全差分放大器電路,其特征在于:所述第一斬波開關組包含第十一至第十四N型MOS管,第十二、第十四N型MOS管的漏極相互連接作為第一斬波開關組的第一輸入端;第十一、第十三N型MOS管的漏極相互連接作為第一斬波開關組的第二輸入端;第十三、第十四N型MOS管的源極相互連接作為第一斬波開關組的第一輸出端,第十一、第十二N型MOS管的源極相互連接作為第一斬波開關組的第二輸出端,第十二、第十三N型MOS管的柵極外接斬波時鐘信號O1,第十一、第十四N型MOS管的柵極外接斬波時鐘信號O2。
4.如權利要求1所述的一種高精度高動態范圍的全差分放大器電路,其特征在于:所述運放中間級(2)包括第一至第六N型MOS管、第七至第十二P型MOS管、第二至第三斬波開關組;第一、第二N型MOS管的源極與地相連接,第一、第二、第三、第四N型MOS管的柵極與電壓偏置VN1相連接,第一N型MOS管的漏極與第二斬波開關組的第一輸入端相互連接作為運放中間級(2)的第一輸入端,第二N型MOS管的漏極與第二斬波開關組的第二輸入端相互連接作為運放中間級(2)的第二輸入端,第二斬波開關組的第一輸出端與第三N型MOS管的源極相連接,第二斬波開關組的第二輸出端與第四N型MOS管的源極相連接;第三N型MOS管的漏極、第五N型MOS管的源極、第七P型MOS管的漏極相互連接作為運放中間級(2)的第一輸出端,第五N型MOS管的漏極、第七P型MOS管的源極、第九P型MOS管的漏極相互連接作為運放中間級(2)的第二輸出端,第四N型MOS管的漏極、第六N型MOS管的源極、第八P型MOS管的漏極相互連接作為運放中間級(2)的第三輸出端,第六N型MOS管的漏極、第八P型MOS管的源極、第十P型MOS管的漏極相互連接作為運放中間級(2)的第四輸出端,第五、第六N型MOS管的柵極與電壓偏置VB2相連接,第七、第八P型MOS管的柵極與電壓偏置VB1相連接;第九P型MOS管的源極與第三斬波開關組的第一輸出端相連接,第十P型MOS管的源極與第三斬波開關組的第二輸出端相連接,第三斬波開關組的第一輸入端與第十一P型MOS管的漏極相連接,第三斬波開關組的第二輸入端與第十二P型MOS管的漏極相連接,第九、第十、第十一、第十二P型MOS管的柵極與電壓偏置VP1相連接,第十一、第十二P型MOS管的源極與電源相連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于湘潭芯力特電子科技有限公司,未經湘潭芯力特電子科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201621123274.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





