[實用新型]全耗盡鐵電側柵單根納米線近紅外光電探測器有效

申請號：	201621120159.8	申請日：	2016-10-13
公開（公告）號：	CN206282869U	公開（公告）日：	2017-06-27
發明（設計）人：	胡偉達;王建祿;鄭定山;駱文錦;王鵬;陳效雙;陸衛	申請（專利權）人：	中國科學院上海技術物理研究所
主分類號：	H01L31/101	分類號：	H01L31/101;H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/18
代理公司：	上海新天專利代理有限公司31213	代理人：	郭英
地址：	200083 ***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	耗盡鐵電側柵單根納米紅外光電探測器
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【權利要求書】：

1.一種全耗盡鐵電側柵單根納米線近紅外光電探測器，其特征在于：

所述的探測器的結構：在P型Si襯底(1)上是SiO₂氧化層(2)、在SiO₂氧化層(2)上制備有InP或CdS納米線(3)，在InP或CdS納米線(3)納米線兩端是源或漏電極(4)、在其兩側有側柵電極(5)，鐵電聚合物薄膜(6)覆蓋在InP或CdS納米線(3)及電極上，并且保證每個電極有部分裸露在外；

所述的P型Si襯底(1)是硼重摻雜，電阻率小于0.05Ω·cm；

所述的SiO₂氧化層(2)厚度是110nm；

所述的InP或CdS納米線(3)長度是5μm到20μm，直徑是50nm到300nm；

所述的源或漏電極(4)是金屬Cr和Au，厚度分別是15和50nm；

所述的側柵電極(5)是金屬Cr和Au，厚度分別是15和50nm，與納米線距離是300nm；

所述的鐵電聚合物薄膜(6)是聚偏氟乙烯基[P(VDF-TrFE)]，厚度是200nm。

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