[實(shí)用新型]EAS硬標(biāo)簽質(zhì)量參數(shù)檢測(cè)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201621102817.0 | 申請(qǐng)日: | 2016-10-08 |
| 公開(公告)號(hào): | CN206270515U | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 盛慶元;蔡曉霞;汪鎵威;李晨輝;徐少華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 紹興職業(yè)技術(shù)學(xué)院 |
| 主分類號(hào): | G01V13/00 | 分類號(hào): | G01V13/00 |
| 代理公司: | 北京眾合誠(chéng)成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司11246 | 代理人: | 連平,譚建文 |
| 地址: | 312000 *** | 國(guó)省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | eas 標(biāo)簽 質(zhì)量 參數(shù) 檢測(cè) 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域:
本實(shí)用新型涉及電子商品防盜系統(tǒng)(EAS)檢測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,更具體的說(shuō)涉及一種EAS用硬標(biāo)簽質(zhì)量參數(shù)諧振頻率F和品質(zhì)因素Q值的檢測(cè)傳感器。
背景技術(shù):
電子商品防盜系統(tǒng)(EAS)的應(yīng)用越來(lái)越多,但是國(guó)內(nèi)生產(chǎn)廠家對(duì)EAS中的電子標(biāo)簽,特別是硬標(biāo)簽質(zhì)量的檢測(cè)停留在人工測(cè)試階段,暴露出檢測(cè)精度差,自動(dòng)化水平低,無(wú)法對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量參數(shù)進(jìn)行評(píng)估等缺點(diǎn)。
目前,ISO/IEC 18046-3-2007給出了EAS系統(tǒng)的標(biāo)簽以及防盜檢測(cè)系統(tǒng)的基本規(guī)范要求。國(guó)內(nèi)一些學(xué)者根據(jù)規(guī)范對(duì)電子標(biāo)簽在線參數(shù)檢測(cè)技術(shù)進(jìn)行研究,如:楊成忠等提出了利用互感耦合原理對(duì)電子標(biāo)簽的質(zhì)量參數(shù)進(jìn)行檢測(cè)的方法。宋小鋒、朱亞萍研究了單線圈傳感器模型和雙線圈傳感器模型結(jié)構(gòu)特點(diǎn)。從現(xiàn)有文獻(xiàn)來(lái)看,國(guó)內(nèi)外研究的對(duì)象以軟標(biāo)簽為主,圍繞雙線圈結(jié)構(gòu)傳感器進(jìn)行。研究表明雙線圈式傳感器圈的面積、繞制匝數(shù)、硬標(biāo)簽放置位置及硬標(biāo)簽與傳感器相對(duì)位置都會(huì)影響硬標(biāo)簽質(zhì)量參數(shù)準(zhǔn)確性。這種結(jié)構(gòu)存在缺陷在于發(fā)射與接收線圈間,標(biāo)簽與發(fā)射和接收線圈間都會(huì)互相干擾;特別是標(biāo)簽對(duì)發(fā)射線圈的影響將改變?cè)艌?chǎng)的強(qiáng)度,而且由于不同標(biāo)簽對(duì)發(fā)射線圈的影響不同使得數(shù)據(jù)修正不可能實(shí)現(xiàn);同時(shí),發(fā)射線圈對(duì)接收線圈的影響疊加于標(biāo)簽產(chǎn)生的磁場(chǎng)上,無(wú)法區(qū)分;這些都會(huì)導(dǎo)致諧振頻率產(chǎn)生偏差,對(duì)Q值判定誤差的影響將更為嚴(yán)重。為克服上述問題,發(fā)明專利(CN 102735943 B)無(wú)源電子標(biāo)簽諧振頻率及Q值檢測(cè)傳感器提供一種消除上述發(fā)射與接收線圈間,標(biāo)簽與發(fā)射和接收線圈間互相干擾問題。但是此專利傳感器結(jié)構(gòu)復(fù)雜,包括兩個(gè)發(fā)射線圈和一個(gè)接收線圈,其發(fā)射線圈又由主發(fā)射線圈和輔發(fā)射線圈組成,接收線圈也由主發(fā)射線圈和輔發(fā)射線圈組成,其實(shí)質(zhì)需要6個(gè)線圈組成一個(gè)傳感器,線圈數(shù)多,制造成本高;另外,此傳感器對(duì)發(fā)射、接收線圈的一致性要求高,制作工藝要求高;再則,此傳感器結(jié)構(gòu)沒法消除地磁場(chǎng)的影響。
實(shí)用新型內(nèi)容:
本實(shí)用新型的目的就是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)之不足,而提供一種EAS硬標(biāo)簽質(zhì)量參數(shù)檢測(cè)裝置,它結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,運(yùn)行穩(wěn)定,能夠準(zhǔn)確測(cè)定EAS用硬標(biāo)簽質(zhì)量參數(shù)——諧振頻率F和品質(zhì)因素Q值。
本實(shí)用新型的技術(shù)解決措施如下:
EAS硬標(biāo)簽質(zhì)量參數(shù)檢測(cè)裝置,包括一對(duì)發(fā)射線圈一對(duì)接收線圈和信號(hào)處理模塊,一對(duì)發(fā)射線圈包括左發(fā)射線圈和右發(fā)射線圈,左發(fā)射線圈、右發(fā)射線圈的結(jié)構(gòu)完全相同,左發(fā)射線圈和右發(fā)射線圈這兩個(gè)線圈中心在同一軸線上;左發(fā)射線圈與右發(fā)射線圈的間距等于左發(fā)射線圈的半徑;
左發(fā)射線圈和右發(fā)射線圈用導(dǎo)線串聯(lián),當(dāng)左發(fā)射線圈和右發(fā)射線圈施加交流激勵(lì)信號(hào)時(shí),電流應(yīng)以同向流轉(zhuǎn)方向經(jīng)過左發(fā)射線圈和右發(fā)射線圈;
一對(duì)接收線圈包括左接收線圈和右接收線圈,左接收線圈和右接收線圈結(jié)構(gòu)完全相同,左接收線圈和右接收線圈的中心在同一軸線上;
左接收線圈和右接收線圈之間間距應(yīng)小于左發(fā)射線圈和右發(fā)射線圈間距的一半;
左接收線圈和右接收線圈用導(dǎo)線串聯(lián),當(dāng)左接收線圈和右接收線圈施加交流激勵(lì)信號(hào)時(shí),電流應(yīng)以反向流轉(zhuǎn)方向經(jīng)過左接收線圈和右接收線圈;
信號(hào)處理模塊包括差分電路和兩級(jí)積分電路,差分電路的兩信號(hào)輸入端分別與左接收線圈和右接收線圈未串聯(lián)兩端電連接。
所述左接收線圈的直徑為左發(fā)射線圈直徑的四分之一;左接收線圈的直徑應(yīng)小于1.5倍硬標(biāo)簽中核心元件磁棒線圈的直徑。
所述左接收線圈或右接收線圈用來(lái)插入被檢測(cè)硬標(biāo)簽核心元件磁棒線圈。
本實(shí)用新型的有益效果在于:
它結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,運(yùn)行穩(wěn)定,能夠準(zhǔn)確測(cè)定EAS用硬標(biāo)簽質(zhì)量參數(shù)——諧振頻率F和品質(zhì)因素Q值。
附圖說(shuō)明:
圖1是本實(shí)用新型信號(hào)處理模塊部分的電路圖;
圖2為本實(shí)用新型發(fā)射線圈和接收線圈部分的電路圖;
圖3是硬標(biāo)簽電子元器件結(jié)構(gòu)等效電路圖;
圖4為示波器接收到的信號(hào)圖。
具體實(shí)施方式:
實(shí)施例:見圖1、2所示,EAS硬標(biāo)簽質(zhì)量參數(shù)檢測(cè)裝置,包括一對(duì)發(fā)射線圈Lf1、Lf2一對(duì)接收線圈Lz、Lf和信號(hào)處理模塊,一對(duì)發(fā)射線圈包括左發(fā)射線圈Lf1和右發(fā)射線圈Lf2,左發(fā)射線圈、右發(fā)射線圈的結(jié)構(gòu)完全相同,左發(fā)射線圈Lf1和右發(fā)射線圈Lf2這兩個(gè)線圈中心在同一軸線上;左發(fā)射線圈Lf1與右發(fā)射線圈Lf2的間距等于左發(fā)射線圈Lf1的半徑;
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于紹興職業(yè)技術(shù)學(xué)院,未經(jīng)紹興職業(yè)技術(shù)學(xué)院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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