[實用新型]EAS硬標簽質量參數檢測裝置有效
| 申請號: | 201621102817.0 | 申請日: | 2016-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN206270515U | 公開(公告)日: | 2017-06-20 |
| 發明(設計)人: | 盛慶元;蔡曉霞;汪鎵威;李晨輝;徐少華 | 申請(專利權)人: | 紹興職業技術學院 |
| 主分類號: | G01V13/00 | 分類號: | G01V13/00 |
| 代理公司: | 北京眾合誠成知識產權代理有限公司11246 | 代理人: | 連平,譚建文 |
| 地址: | 312000 *** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | eas 標簽 質量 參數 檢測 裝置 | ||
技術領域:
本實用新型涉及電子商品防盜系統(EAS)檢測技術領域,更具體的說涉及一種EAS用硬標簽質量參數諧振頻率F和品質因素Q值的檢測傳感器。
背景技術:
電子商品防盜系統(EAS)的應用越來越多,但是國內生產廠家對EAS中的電子標簽,特別是硬標簽質量的檢測停留在人工測試階段,暴露出檢測精度差,自動化水平低,無法對產品的質量參數進行評估等缺點。
目前,ISO/IEC 18046-3-2007給出了EAS系統的標簽以及防盜檢測系統的基本規范要求。國內一些學者根據規范對電子標簽在線參數檢測技術進行研究,如:楊成忠等提出了利用互感耦合原理對電子標簽的質量參數進行檢測的方法。宋小鋒、朱亞萍研究了單線圈傳感器模型和雙線圈傳感器模型結構特點。從現有文獻來看,國內外研究的對象以軟標簽為主,圍繞雙線圈結構傳感器進行。研究表明雙線圈式傳感器圈的面積、繞制匝數、硬標簽放置位置及硬標簽與傳感器相對位置都會影響硬標簽質量參數準確性。這種結構存在缺陷在于發射與接收線圈間,標簽與發射和接收線圈間都會互相干擾;特別是標簽對發射線圈的影響將改變原磁場的強度,而且由于不同標簽對發射線圈的影響不同使得數據修正不可能實現;同時,發射線圈對接收線圈的影響疊加于標簽產生的磁場上,無法區分;這些都會導致諧振頻率產生偏差,對Q值判定誤差的影響將更為嚴重。為克服上述問題,發明專利(CN 102735943 B)無源電子標簽諧振頻率及Q值檢測傳感器提供一種消除上述發射與接收線圈間,標簽與發射和接收線圈間互相干擾問題。但是此專利傳感器結構復雜,包括兩個發射線圈和一個接收線圈,其發射線圈又由主發射線圈和輔發射線圈組成,接收線圈也由主發射線圈和輔發射線圈組成,其實質需要6個線圈組成一個傳感器,線圈數多,制造成本高;另外,此傳感器對發射、接收線圈的一致性要求高,制作工藝要求高;再則,此傳感器結構沒法消除地磁場的影響。
實用新型內容:
本實用新型的目的就是針對現有技術之不足,而提供一種EAS硬標簽質量參數檢測裝置,它結構簡單,運行穩定,能夠準確測定EAS用硬標簽質量參數——諧振頻率F和品質因素Q值。
本實用新型的技術解決措施如下:
EAS硬標簽質量參數檢測裝置,包括一對發射線圈一對接收線圈和信號處理模塊,一對發射線圈包括左發射線圈和右發射線圈,左發射線圈、右發射線圈的結構完全相同,左發射線圈和右發射線圈這兩個線圈中心在同一軸線上;左發射線圈與右發射線圈的間距等于左發射線圈的半徑;
左發射線圈和右發射線圈用導線串聯,當左發射線圈和右發射線圈施加交流激勵信號時,電流應以同向流轉方向經過左發射線圈和右發射線圈;
一對接收線圈包括左接收線圈和右接收線圈,左接收線圈和右接收線圈結構完全相同,左接收線圈和右接收線圈的中心在同一軸線上;
左接收線圈和右接收線圈之間間距應小于左發射線圈和右發射線圈間距的一半;
左接收線圈和右接收線圈用導線串聯,當左接收線圈和右接收線圈施加交流激勵信號時,電流應以反向流轉方向經過左接收線圈和右接收線圈;
信號處理模塊包括差分電路和兩級積分電路,差分電路的兩信號輸入端分別與左接收線圈和右接收線圈未串聯兩端電連接。
所述左接收線圈的直徑為左發射線圈直徑的四分之一;左接收線圈的直徑應小于1.5倍硬標簽中核心元件磁棒線圈的直徑。
所述左接收線圈或右接收線圈用來插入被檢測硬標簽核心元件磁棒線圈。
本實用新型的有益效果在于:
它結構簡單,運行穩定,能夠準確測定EAS用硬標簽質量參數——諧振頻率F和品質因素Q值。
附圖說明:
圖1是本實用新型信號處理模塊部分的電路圖;
圖2為本實用新型發射線圈和接收線圈部分的電路圖;
圖3是硬標簽電子元器件結構等效電路圖;
圖4為示波器接收到的信號圖。
具體實施方式:
實施例:見圖1、2所示,EAS硬標簽質量參數檢測裝置,包括一對發射線圈Lf1、Lf2一對接收線圈Lz、Lf和信號處理模塊,一對發射線圈包括左發射線圈Lf1和右發射線圈Lf2,左發射線圈、右發射線圈的結構完全相同,左發射線圈Lf1和右發射線圈Lf2這兩個線圈中心在同一軸線上;左發射線圈Lf1與右發射線圈Lf2的間距等于左發射線圈Lf1的半徑;
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