[實用新型]控制設備有效
| 申請號: | 201621079276.4 | 申請日: | 2016-09-23 |
| 公開(公告)號: | CN206498389U | 公開(公告)日: | 2017-09-15 |
| 發明(設計)人: | S·沙萊;J·厄爾捷;L·熱弗羅 | 申請(專利權)人: | 意法半導體(圖爾)公司 |
| 主分類號: | H03L7/081 | 分類號: | H03L7/081 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所11256 | 代理人: | 王茂華,董典紅 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 控制 設備 | ||
1.一種控制設備,其特征在于,包括:
第一電容器(CV),具有可通過施加偏置電壓(VBIAS)調節為設置點值的電容;
第二電容器(CV’),具有可通過施加偏置電壓調節為設置點值的電容,所述第二電容器(CV’)被配置為接收與所述第一電容器(CV)相同的偏置電壓(VBIAS);以及
控制電路(121),能夠接收所述設置點值,并在考慮表示所述第二電容器(CV’)的電容的量的情況下生成所述偏置電壓(VBIAS)。
2.根據權利要求1所述的控制設備,其特征在于,所述第一電容器(CV)和所述第二電容器(CV’)被匹配以基本具有相同的溫度變化。
3.根據權利要求1所述的控制設備,其特征在于,所述第一電容器(CV)和所述第二電容器(CV’)在制造差量內相同。
4.根據權利要求1所述的控制設備,其特征在于,所述控制電路(121)包括:第一電路(205),所述第一電路與所述第二電容器(CV’)一起形成能夠生成第一頻率(fVCO)的振蕩器,所述第一頻率根據所述第二電容器(CV’)的電容而變化;以及反饋環路(209,217),能夠調節所述偏置電壓(VBIAS),以利用第二頻率(fREF)控制所述第一頻率(fVCO)。
5.根據權利要求4所述的控制設備,其特征在于,所述第一電路(205)包括可調電阻器(RVCO),所述第一頻率(fVCO)的值還取決于所述可調電阻器(RVCO)的值。
6.根據權利要求5所述的控制設備,其特征在于,所述可調電阻器(RVCO)的值根據所述設置點值來設置。
7.根據權利要求4所述的控制設備,其特征在于,所述控制電路(121)包括第二電路(201),所述第二電路與所述設備的第三固定電容器(CREF)一起形成能夠生成所述第二頻率(fREF)的振蕩器。
8.根據權利要求7所述的控制設備,其特征在于,所述第三固定電容器(CREF)是金屬-陶瓷-金屬電容器。
9.根據權利要求7所述的控制設備,其特征在于,所述第二電路(201)包括不可調電阻器(RREF),所述第二頻率(fREF)的值還取決于所述不可調電阻器(RREF)的值。
10.根據權利要求9所述的控制設備,其特征在于,所述可調電阻器(RVCO)和所述不可調電阻器(RREF)被匹配以基本具有相同的溫度變化。
11.根據權利要求1所述的控制設備,其特征在于,所述第一電容器(CV)和所述第二電容器(CV’)被集成在第一芯片(101)中,所述第一芯片包括:
第一端子(103)和第二端子(105),耦合至所述第一電容器(CV)的電極;
第三端子(107),施加所述偏置電壓(VBIAS);以及
第四端子(111),耦合至所述第二電容器(CV’)的電極。
12.根據權利要求11所述的控制設備,其特征在于,所述控制電路(121)被集成在不同于所述第一芯片(101)的第二芯片中。
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