[實用新型]一種功率半導體芯片測試單元有效
| 申請號: | 201621073265.5 | 申請日: | 2016-09-22 |
| 公開(公告)號: | CN206161787U | 公開(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發明(設計)人: | 鄧二平;李現兵;張朋;溫家良 | 申請(專利權)人: | 全球能源互聯網研究院;國家電網公司;國網浙江省電力公司;華北電力大學 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 北京安博達知識產權代理有限公司11271 | 代理人: | 徐國文 |
| 地址: | 102209 北京市昌平*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功率 半導體 芯片 測試 單元 | ||
1.一種功率半導體芯片測試單元,其特征在于,所述測試單元包括集電極(1)、被測芯片子模組(2)、PCB板(3)、固定框架(4)和發射極(5);
所述集電極(1)和發射極(5)的外部側壁上分別設置有集電極限位凹槽(11)和發射極限位凹槽(51),所述固定框架(4)的內部側壁上設置有限位凸臺(42);
所述集電極(1)、被測芯片子模組(2)、PCB板(3)和發射極(5)順次疊放在所述固定框架(4)內,且所述限位凸臺(42)嵌入在所述集電極限位凹槽(11)和發射極限位凹槽(51)內。
2.如權利要求1所述的一種功率半導體芯片測試單元,其特征在于,所述測試單元還包括散熱器;所述散熱器分別固定在所述集電極(1)的上表面和所述發射極(5)的下表面;
所述集電極(1)的上表面設置有集電極定位凹槽(12),用于嵌入所述散熱器的定位銷;
所述發射極(5)的下表面設置有發射極定位凹槽(52),用于嵌入所述散熱器的定位銷。
3.如權利要求1所述的一種功率半導體芯片測試單元,其特征在于,所述被測芯片子模組(2)包括集電極側鉬片(21)、功率半導體芯片(22)、發射極側鉬片(23)、墊片(24)和塑料框架(25);
所述集電極側鉬片(21)、功率半導體芯片(22)、發射極側鉬片(23)和墊片(24)順次疊放在所述塑料框架(25)內;
所述集電極側鉬片(21)與所述集電極(1)直接接觸,所述墊片(24)與所述發射極(5)直接接觸。
4.如權利要求3所述的一種功率半導體芯片測試單元,其特征在于,所述被測芯片子模組(2)還包括彈簧引針(26);
所述塑料框架(25)包括一個彈簧引針通道(27);所述彈簧引針(26)設置在彈簧引針通道(27)內,彈簧引針(26)的一端與所述功率半導體芯片(22)的門極直接接觸,另一端與所述PCB板(3)直接接觸。
5.如權利要求1所述的一種功率半導體芯片測試單元,其特征在于,所述PCB板(3)上焊接有一個引線端子(31),所述固定框架(4)的側壁上還設置有預留窗口(41);
所述引線端子(31)與所述預留窗口(41)相對應,所述被測芯片子模組(2)的驅動信號線通過所述預留窗口(41)與所述引線端子(31)連接。
6.如權利要求1所述的一種功率半導體芯片測試單元,其特征在于,
所述固定框架(4)為環氧樹脂框架。
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