[實(shí)用新型]用于激光寫入系統(tǒng)的磁電阻傳感器晶元版圖

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201621053800.0
• 申請(qǐng)日: 2016-09-13
• 公開（公告）號(hào): CN206235722U
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 詹姆斯·G·迪克;周志敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 江蘇多維科技有限公司
• 主分類號(hào): G01R33/09
• 分類號(hào): G01R33/09;G01R33/00
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,賈允

1.一種用于激光寫入系統(tǒng)的磁電阻傳感器晶元版圖，所述晶元版圖包括多個(gè)構(gòu)成陣列的矩形切片，所述切片表面設(shè)置有磁電阻多層薄膜(1)，所述磁電阻多層薄膜(1)包括反鐵磁層(4)，所述磁電阻多層薄膜(1)圖形化成磁電阻傳感單元，所述磁電阻傳感單元的所述反鐵磁層(4)磁化取向通過激光寫入系統(tǒng)進(jìn)行定向排列，所述磁電阻傳感單元電連接成橋臂，所述橋臂電連接成磁電阻傳感器，其特征在于：所述磁電阻傳感單元排列成至少兩個(gè)空間隔離的磁電阻取向集團(tuán)，在每個(gè)所述磁電阻取向集團(tuán)內(nèi)，所述磁電阻傳感單元的反鐵磁層磁化取向角相同，且所述磁化取向角的范圍為0到360度，相鄰兩個(gè)磁電阻取向集團(tuán)的所述磁化取向角不同，且每個(gè)所述磁電阻取向集團(tuán)與至少一個(gè)相鄰所述切片內(nèi)的具有相同磁化取向角的所述磁電阻取向集團(tuán)近鄰。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于激光寫入系統(tǒng)的磁電阻傳感器晶元版圖，其特征在于：所述磁電阻傳感單元為TMR傳感單元或者GMR自旋閥傳感單元，所述磁電阻傳感單元包括鐵磁自由層/非磁性隔離層/單層堆疊結(jié)構(gòu)鐵磁參考層，或者所述磁電阻傳感單元包括鐵磁自由層/非磁性隔離層/多層薄膜結(jié)構(gòu)鐵磁參考層，所述單層堆疊結(jié)構(gòu)鐵磁參考層為反鐵磁層/鐵磁參考層，所述多層薄膜結(jié)構(gòu)鐵磁參考層為反鐵磁層/n個(gè)中間層/鐵磁參考層，其中，所述中間層為鐵磁層/金屬間隔層，n為大于或等于1的整數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于激光寫入系統(tǒng)的磁電阻傳感器晶元版圖，其特征在于：所述磁電阻傳感器為線性磁電阻傳感器或角度磁電阻傳感器，沒有外加磁場時(shí)，所述線性磁電阻傳感器對(duì)應(yīng)的所述磁電阻傳感單元通過永磁偏置、雙交換作用和形狀各向異性中的一種或多種方式設(shè)定所述鐵磁自由層的磁化方向。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于激光寫入系統(tǒng)的磁電阻傳感器晶元版圖，其特征在于：所述磁電阻傳感器為單軸X推挽式磁電阻傳感器或雙軸X-Y推挽式磁電阻傳感器，所述單軸X推挽式磁電阻傳感器和雙軸X-Y推挽式磁電阻傳感器分別為全橋、半橋或者準(zhǔn)橋結(jié)構(gòu)，所述單軸X推挽式磁電阻傳感器包括單軸X線性磁電阻傳感器和單軸X角度磁電阻傳感器，所述雙軸X-Y推挽式磁電阻傳感器包括雙軸X-Y線性磁電阻傳感器和雙軸X-Y角度磁電阻傳感器，所述單軸X線性磁電阻傳感器和單軸X角度磁電阻傳感器均包括X推臂和X挽臂，所述雙軸X-Y線性磁電阻傳感器和雙軸X-Y角度磁電阻傳感器均包括X推臂、X挽臂、Y推臂和Y挽臂，所述X推臂包括推X軸磁電阻傳感單元，所述X挽臂包括挽X軸磁電阻傳感單元，所述Y推臂包括推Y軸磁電阻傳感單元，所述Y挽臂包括挽Y軸磁電阻傳感單元。