[實用新型]用于激光寫入系統的磁電阻傳感器晶元版圖

有效

• 申請號: 201621053800.0
• 申請日: 2016-09-13
• 公開（公告）號: CN206235722U
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 詹姆斯·G·迪克;周志敏
• 申請（專利權）人: 江蘇多維科技有限公司
• 主分類號: G01R33/09
• 分類號: G01R33/09;G01R33/00
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司44202
• 代理人: 郝傳鑫,賈允

1.一種用于激光寫入系統的磁電阻傳感器晶元版圖，所述晶元版圖包括多個構成陣列的矩形切片，所述切片表面設置有磁電阻多層薄膜(1)，所述磁電阻多層薄膜(1)包括反鐵磁層(4)，所述磁電阻多層薄膜(1)圖形化成磁電阻傳感單元，所述磁電阻傳感單元的所述反鐵磁層(4)磁化取向通過激光寫入系統進行定向排列，所述磁電阻傳感單元電連接成橋臂，所述橋臂電連接成磁電阻傳感器，其特征在于：所述磁電阻傳感單元排列成至少兩個空間隔離的磁電阻取向集團，在每個所述磁電阻取向集團內，所述磁電阻傳感單元的反鐵磁層磁化取向角相同，且所述磁化取向角的范圍為0到360度，相鄰兩個磁電阻取向集團的所述磁化取向角不同，且每個所述磁電阻取向集團與至少一個相鄰所述切片內的具有相同磁化取向角的所述磁電阻取向集團近鄰。

2.根據權利要求1所述的一種用于激光寫入系統的磁電阻傳感器晶元版圖，其特征在于：所述磁電阻傳感單元為TMR傳感單元或者GMR自旋閥傳感單元，所述磁電阻傳感單元包括鐵磁自由層/非磁性隔離層/單層堆疊結構鐵磁參考層，或者所述磁電阻傳感單元包括鐵磁自由層/非磁性隔離層/多層薄膜結構鐵磁參考層，所述單層堆疊結構鐵磁參考層為反鐵磁層/鐵磁參考層，所述多層薄膜結構鐵磁參考層為反鐵磁層/n個中間層/鐵磁參考層，其中，所述中間層為鐵磁層/金屬間隔層，n為大于或等于1的整數。

3.根據權利要求1所述的一種用于激光寫入系統的磁電阻傳感器晶元版圖，其特征在于：所述磁電阻傳感器為線性磁電阻傳感器或角度磁電阻傳感器，沒有外加磁場時，所述線性磁電阻傳感器對應的所述磁電阻傳感單元通過永磁偏置、雙交換作用和形狀各向異性中的一種或多種方式設定所述鐵磁自由層的磁化方向。

4.根據權利要求1所述的一種用于激光寫入系統的磁電阻傳感器晶元版圖，其特征在于：所述磁電阻傳感器為單軸X推挽式磁電阻傳感器或雙軸X-Y推挽式磁電阻傳感器，所述單軸X推挽式磁電阻傳感器和雙軸X-Y推挽式磁電阻傳感器分別為全橋、半橋或者準橋結構，所述單軸X推挽式磁電阻傳感器包括單軸X線性磁電阻傳感器和單軸X角度磁電阻傳感器，所述雙軸X-Y推挽式磁電阻傳感器包括雙軸X-Y線性磁電阻傳感器和雙軸X-Y角度磁電阻傳感器，所述單軸X線性磁電阻傳感器和單軸X角度磁電阻傳感器均包括X推臂和X挽臂，所述雙軸X-Y線性磁電阻傳感器和雙軸X-Y角度磁電阻傳感器均包括X推臂、X挽臂、Y推臂和Y挽臂，所述X推臂包括推X軸磁電阻傳感單元，所述X挽臂包括挽X軸磁電阻傳感單元，所述Y推臂包括推Y軸磁電阻傳感單元，所述Y挽臂包括挽Y軸磁電阻傳感單元。