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[實用新型]MOSFET電子開關驅動電路有效

專利信息
申請號: 201620986306.3 申請日: 2016-08-30
公開(公告)號: CN206135864U 公開(公告)日: 2017-04-26
發明(設計)人: 陳鵬;黃學軍;于輝 申請(專利權)人: 蘇州泰思特電子科技有限公司
主分類號: H03K17/687 分類號: H03K17/687;H03K17/693;H03K5/13
代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103 代理人: 馬明渡,王健
地址: 215011 江蘇省蘇州*** 國省代碼: 江蘇;32
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摘要:
搜索關鍵詞: mosfet 電子 開關 驅動 電路
【權利要求書】:

1.一種MOSFET電子開關驅動電路,其特征在于:包括:方波發生器(1)、低電平邊緣檢測單元(2)、高電平邊緣檢測單元(3)、正脈沖電平轉換單元(4)、負脈沖電平轉換單元(5)、正脈沖驅動支路(6)、負脈沖驅動支路(7);用于產生觸發方波信號的方波發生器(1)連接到低電平邊緣檢測單元(2)和高電平邊緣檢測單元(3)各自的輸入端,所述低電平邊緣檢測單元(2)與負脈沖電平轉換單元(5)和負脈沖驅動支路(7)依次連接,所述高電平邊緣檢測單元(3)與正脈沖電平轉換單元(4)和正脈沖驅動支路(6)依次連接;

所述高電平邊緣檢測單元(3)進一步包括依次串聯的第一與門(81)、高電平微分模塊(82)、第一非門(83)和第二非門(84),此第一與門(81)的一個輸入端與方波發生器(1)連接,另一個輸入端與接地之間設置有第一電容(85),所述第二非門(84)與正脈沖電平轉換單元(4)連接;

所述低電平邊緣檢測單元(2)進一步包括依次串聯的第二與門(91)、低電平微分模塊(92)、第三非門(93)和第四非門(94),此第二與門(91)的一個輸入端與方波發生器(1)之間設置有第五非門(95),另一個輸入端與接地之間設置有第二電容(96),所述第四非門(94)與負脈沖電平轉換單元(5)連接;

所述正脈沖驅動支路(6)、負脈沖驅動支路(7)均由依次串聯的驅動小信號單元(14)、功率管單元(15)和主電路取能單元(16)組成,所述耦合變壓器(4)初級側和次級側分別具有一個初級線圈和至少2個次級線圈,此至少2個次級線圈進一步分為至少1個VTp次級線圈和至少1個VTn次級線圈;

所述加速網絡單元(12)與耦合變壓器(13)的初級線圈串連連接,耦合變壓器(13)的VTp次級線圈和VTn次級線圈均連接到對應驅動支路的驅動小信號單元(14)上,所述加速網絡單元(12)由并聯的Rv電阻和Cv電容并聯組成;

所述驅動小信號單元(14)進一步包括濾波模塊(141)、MOS管(142)和位于濾波模塊(141)、MOS管(142)之間的第一二極管(143),此濾波模塊(141)與VTn次級線圈連接,此MOS管(142)的柵極和源極分別與VTp次級線圈的高電位輸出端和低電位輸出端連接,一穩壓二極管(17)與串聯的第一二極管(143)、濾波模塊(141)并聯;

所述主電路取能單元(16)進一步包括存儲電容(161)、第二二極管(162)和2個串聯的限流電阻(163),所述存儲電容(91)與驅動小信號單元(7)的MOS管(72)的漏極連接,所述第二二極管(92)位于2個串聯的限流電阻(93)的接點與MOS管(72)與存儲電容的接點之間,驅動小信號單元(5)的MOS管的源極連接到功率管單元(8)中功率管(81)的柵極,所述功率管單元(8)的漏極和源極分別作為主電路的正極和負極。

2.根據權利要求1所述的MOSFET電子開關驅動電路,其特征在于:所述功率管單元(15)中的功率管(151)由第一功率MOS管和第二功率MOS管并聯組成。

3.根據權利要求1所述的MOSFET電子開關驅動電路,其特征在于:所述正脈沖電平轉換單元(4)、負脈沖電平轉換單元(5)均由推挽電路(10)、高壓MOS管(11)、加速網絡單元(12)、耦合變壓器(13)組成。

4.根據權利要求3所述的MOSFET電子開關驅動電路,其特征在于:所述推挽電路(10)包括第一功率MOS管(101)、第二功率MOS管(102)和第三功率MOS管(103),第二功率MOS管(102)與第三功率MOS管(103)并聯,第一功率MOS管(101)與第二功率MOS管(102)和第三功率MOS管(103)串聯。

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