[實用新型]一種具有N?/正面P+/N+型三維結構的半導體晶圓有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201620955810.7 | 申請日： | 2016-08-29 |
| 公開（公告）號： | CN205920972U | 公開（公告）日： | 2017-02-01 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王俊;鄧建偉;沈征 | 申請（專利權）人： | 洛陽鴻泰半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L23/52 |
| 代理公司： | 洛陽明律專利代理事務所(普通合伙)41118 | 代理人： | 楊淑敏 |
| 地址： | 471023 河南省洛陽市高*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 具有 正面 三維 結構 半導體 | ||
【說明書】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件；具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器；半導體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
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H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進行控制的
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