[實用新型]基于熒光陶瓷及雙層納米光柵的偏振白光LED及其封裝結構有效
| 申請號： | 201620931980.1 | 申請日： | 2016-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN206163523U | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發明（設計）人： | 林雨;王欽華;陳玲華;王淼;胡敬佩;曹冰 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50;H01L33/58;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司32103 | 代理人： | 陶海鋒,孫周強 |
| 地址： | 215123 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 熒光 陶瓷 雙層 納米 光柵 偏振 白光 led 及其 封裝 結構 | ||
1.一種基于熒光陶瓷及雙層納米光柵結構的偏振白光LED，其特征在于：所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵結構的偏振白光LED包括藍光LED、熒光陶瓷基底、過渡層、介質光柵層、金屬層；所述熒光陶瓷基底一面耦合藍光LED，另一面復合過渡層；所述介質光柵層位于過渡層表面；所述金屬層位于介質光柵層的凹槽以及凸起的表面；所述介質光柵層的周期為140 nm-160nm，占空比為0.4-0.6，高度為70nm-90nm；所述金屬層的高度為40nm-60nm。
2.根據權利要求1所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵結構的偏振白光LED，其特征在于：所述藍光LED為GaN基藍光LED；所述過渡層為氟化鎂過渡層、二氧化硅過渡層或者PMMA過渡層；所述介質光柵層為氟化鎂光柵層、二氧化硅光柵層或者PMMA光柵層；所述金屬層為鋁層、銀層或者金層。
3.根據權利要求1所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵結構的偏振白光LED，其特征在于：所述介質光柵層的周期為150nm，占空比為0.5，高度為80nm；所述金屬層的高度為50nm。
4.根據權利要求1所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵結構的偏振白光LED，其特征在于：所述過渡層的高度為20nm。
5.根據權利要求1所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵結構的偏振白光LED，其特征在于：所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵結構的偏振白光LED對應的工作波段為可見光波段。
6.根據權利要求1所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵結構的偏振白光LED，其特征在于：所述熒光陶瓷基底的高度為0.5-1cm。
7.一種基于熒光陶瓷及雙層納米光柵的封裝結構，其特征在于：所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵的封裝結構包括熒光陶瓷基底、過渡層、介質光柵層、金屬層；所述熒光陶瓷基底一面復合過渡層；所述介質光柵層位于過渡層表面；所述金屬層位于介質光柵層的凹槽以及凸起的表面；所述介質光柵層的周期為140 nm-160nm，占空比為0.4-0.6，高度為70nm-90nm；所述金屬層的高度為40nm-60nm。
8.根據權利要求7所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵的封裝結構，其特征在于：所述過渡層為氟化鎂過渡層、二氧化硅過渡層或者PMMA過渡層；所述介質光柵層為氟化鎂光柵層、二氧化硅光柵層或者PMMA光柵層；所述金屬層為鋁層、銀層或者金層。
9.根據權利要求7所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵的封裝結構，其特征在于：所述介質光柵層的周期為150nm，占空比為0.5，高度為80nm；所述金屬層的高度為50nm。
10.根據權利要求7所述基于熒光陶瓷及雙層納米光柵的封裝結構，其特征在于：所述過渡層的高度為20nm。
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