[實用新型]靜電放電裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201620889296.1
• 申請日: 2016-07-05
• 公開（公告）號: CN206250193U
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: T·J·戴維斯
• 申請（專利權(quán)）人: 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/04
• 分類號: H01L27/04
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進委員會專利商標事務(wù)所11038
• 代理人: 金曉

1.一種靜電放電裝置，其特征在于：所述靜電放電裝置裝置包括：

第一導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體襯底；

所述第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體區(qū)域，其中所述第一半導(dǎo)體區(qū)域基本上覆蓋所述半導(dǎo)體襯底的全部；

第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)域，其中所述第一摻雜區(qū)域和所述第一半導(dǎo)體區(qū)域一起形成齊納二極管；

所述第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體區(qū)域，所述第二半導(dǎo)體區(qū)域設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的一部分上以及沒置在所述第一摻雜區(qū)域的一部分上，其中所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的峰值摻雜濃度小于所述半導(dǎo)體襯底的峰值摻雜濃度；

所述第一導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)域，所述第二摻雜區(qū)域設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域中并覆于所述第一摻雜區(qū)域上，其中所述第二摻雜區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域隔開至少兩微米；

所述第二導(dǎo)電類型的第三摻雜區(qū)域，所述第三摻雜區(qū)域設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域中并覆于所述第一半導(dǎo)體區(qū)域上，其中所述第三摻雜區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域隔開至少兩微米；

所述第一導(dǎo)電類型的第四摻雜區(qū)域，所述第四摻雜區(qū)域設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體區(qū)域中并覆于所述第三摻雜區(qū)域上，其中所述第三摻雜區(qū)域、所述第四摻雜區(qū)域與所述第一半導(dǎo)體區(qū)域一起形成P-N-P結(jié)；以及

第一隔離溝槽，所述第一隔離溝槽從所述第二半導(dǎo)體區(qū)域的頂面延伸并進入所述第一半導(dǎo)體區(qū)域，其中所述第一隔離溝槽圍繞所述第二摻雜區(qū)域的外周界和所述第一摻雜區(qū)域的至少一部分，并且其中所述第一隔離溝槽不圍繞所述第三摻雜區(qū)域和所述第四摻雜區(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于：所述第一導(dǎo)電類型是P型導(dǎo)電性而所述第二導(dǎo)電類型是N型導(dǎo)電性。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于：所述P-N-P結(jié)具有約1V至約30V的集電極-發(fā)射極電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于：所述第二摻雜區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體區(qū)域一起形成二極管，并且其中所述二極管的擊穿電壓大于所述P-N-P結(jié)的擊穿電壓。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底的峰值摻雜濃度為至少約1×10¹⁹原子/cm³。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于：所述第一半導(dǎo)體區(qū)域的恒定摻雜濃度為約1×10¹⁶原子/cm³到約1×10²⁰原子/cm³。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于：所述第二摻雜區(qū)域的峰值摻雜濃度為至少約1×10¹⁹原子/cm³。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于：所述第三摻雜區(qū)域的峰值摻雜濃度為至少約1×10¹⁹原子/cm³。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于：所述第四摻雜區(qū)域的峰值摻雜濃度為至少約1×10¹⁹原子/cm³。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的靜電放電裝置，其特征在于：還包括施加到所述第二摻雜區(qū)域和所述第四摻雜區(qū)域的第一導(dǎo)體；以及施加到所述半導(dǎo)體襯底的底面的第二導(dǎo)體。