[實用新型]一種電光Q開關

有效

• 申請號: 201620883466.5
• 申請日: 2016-08-15
• 公開（公告）號: CN206742652U
• 公開（公告）日: 2017-12-12
• 發明（設計）人: 趙修強
• 申請（專利權）人: 趙修強
• 主分類號: H01S3/115
• 分類號: H01S3/115;H01S3/042
• 代理公司: 濟南舜源專利事務所有限公司37205
• 代理人: 趙斌,苗峻

技術領域

本實用新型涉及脈沖激光調Q器件，具體涉及一種電光Q開關。

背景技術

電光調Q技術是利用在晶體上施加電壓改變晶體的折射率，從而達到改變光的偏振態，與偏振片一起使用可實現光開關的作用。利用電光調Q技術的脈沖激光，脈寬窄，峰值功率高。

現有技術中，電光Q開關在高功率，高重復頻率下使用時，晶體發熱較大，溫度上升，造成峰值功率降低，光束質量變差，半波電壓變化，過大的溫度上升甚至會對晶體造成破壞；而如何解決上述問題成為現有電光Q開關均需面臨的，特別是如何提高電光Q開關的功率，降低其發熱量成為最難以解決的問題。

發明內容

本實用新型針對現有技術存在的諸多不足之處，提供了一種電光Q開關，該開光包括圓筒形殼體，所述殼體內設置有方形晶體槽，所述晶體槽四面均設置有安裝槽，所述殼體上設置有兩個電極，所述電極穿透殼體與方形晶體槽連接，與電極連接的方形晶體槽一側設置有臺階結構，所述臺階結構內設置有簧片；采用這種結構的電光Q開關，改變了現有技術中必須采用圓柱形晶體的現狀，可以采用方形DKDP晶體，使得整個電光Q開關的能量等級提高，功率也得到了大幅提升，且解決了晶體散熱的問題。

本實用新型的具體技術方案是：

一種電光Q開關，該開光包括圓筒形殼體，所述殼體內設置有方形晶體槽，所述方形晶體槽四面均設置有安裝槽，所述殼體上設置有兩個電極，所述電極穿透殼體與方形晶體槽連接；與電極連接的方形晶體槽一側設置有臺階結構，所述臺階結構內設置有簧片；

所述的安裝槽采用弧形安裝槽；

所述方形晶體槽安裝有方形DKDP晶體，且所述簧片為“Z”字形。

現有技術中電光Q開關中一般均采用圓柱形DKDP晶體作為光電晶體，由于形狀所限，其功率和能量等級已經難以得到提升，且由于圓柱形晶體與殼體接觸面積過大，使用時其產生的大量熱能會直接傳到給殼體導致殼體壽命大大下降，不利于整個電光Q開關的散熱，這也是現有技術難以克服的問題，而采用本實用新型提供的這種結構的電光Q開關，改變了現有技術中必須采用圓柱形晶體的現狀，可以采用方形DKDP晶體，由于方形DKDP晶體的實際功率高于圓柱形晶體，從而使得整個電光Q開關的能量等級提高，功率也得到了大幅提升，提高了其適用范圍且延長了電光Q開關的使用壽命；所述的方形晶體槽四面均設置有安裝槽，這樣就克服了方形晶體不易安裝的問題，可以通過安裝槽配合夾具等工具放置方形晶體，為了達到最好的效果安裝槽優選采用弧形安裝槽，這樣在安裝完畢之后，安裝槽的存在降低了晶體與殼體的接觸面積，同時安裝槽更加有利于氣體流通從而降低晶體的溫度，這樣就解決了晶體散熱的問題；

在使用時，方形晶體必須通電，因此需在晶體外側鍍上一層鍍金導電層，而所述殼體上設置有兩個電極，所述電極穿透殼體與方形晶體槽連接，而為了能與鍍金導電層接觸，現有技術中的圓柱形晶體一般采用包裹導電橡膠環的方式，這樣電極導電橡膠環接觸就相當于與鍍金導電層接觸。但是采用導電橡膠環后會導致兩個導電橡膠環之間的晶體被完全封閉起來，導致其散熱性能進一步下降，溫度大幅上升從而影響整個開關的壽命，同時高溫也會使導電橡膠環發生老化，也同樣降低了其適用壽命；

為了克服上述問題，同時配合本實用新型中的方形DKDP晶體，發明人在與電極連接的方形晶體槽一側設置有臺階結構，所述臺階結構內設置有簧片，當方形DKDP晶體安裝完成后，可將簧片，優選“Z”字形放置到臺階結構上，這樣當安裝好電極后，簧片的一端與電極接觸，另一端與鍍金導電層接觸，從而使二者電連接，這樣方形DKDP晶體外側不需要附設任何物質，提高了其散熱性能，且簧片的彈性可以確保兩者穩定接觸不受外界環境的影響，同時臺階結構也給了簧片足夠的散熱空間，延長了其使用壽命。

綜上所述，采用這種結構的電光Q開關，改變了現有技術中必須采用圓柱形晶體的現狀，可以采用方形DKDP晶體，使得整個電光Q開關的能量等級提高，功率也得到了大幅提升，且解決了晶體散熱的問題。

附圖說明

圖1為本實用新型所述電光Q開關的結構示意圖；

圖2為本實用新型所述電光Q開關的俯視圖；

圖3為本實用新型所述電光Q開關的結構剖視圖；

圖中1為圓筒形殼體，2為電極，3為臺階結構，4為方形晶體槽，5為安裝槽，6為簧片。

具體實施方式