[實(shí)用新型]一種可控硅與IGBT測試盒

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201620862099.0
• 申請日: 2016-08-10
• 公開（公告）號: CN206161786U
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳志良;景世煊;湯劍;袁旭鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 衢州元立金屬制品有限公司
• 主分類號: G01R31/26
• 分類號: G01R31/26
• 代理公司: 北京華仲龍騰專利代理事務(wù)所(普通合伙)11548
• 代理人: 李靜

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及可控硅與IGBT測試盒技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可控硅與IGBT測試盒。

背景技術(shù)

可控硅能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。

IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

目前市場上的可控硅與IGBT測試盒的電路連接復(fù)雜，使得成本較高，且可控硅與IGBT測試盒內(nèi)部的電路受溫度的影響大，使得可控硅與IGBT測試盒測試的結(jié)構(gòu)不準(zhǔn)確。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的一種可控硅與IGBT測試盒。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：

一種可控硅與IGBT測試盒，包括盒體，所述盒體為中空結(jié)構(gòu)，且盒體的內(nèi)壁上設(shè)有電路板，所述電路板上設(shè)有整流元件QZ，所述整流元件QZ引腳1連接有電容C1和變壓器T的次級線圈L2，且變壓器T的次級線圈L2的另一端分別與電容C1的另一端和整流元件QZ的引腳3相連接，所述變壓器T的初級線圈L1的一端連接有輸入端VT1，且變壓器T的初級線圈L1的另一端連接有輸入端VT2，所述整流元件QZ的引腳4連接有電阻R1和二極管D2的正極，所述電阻R1的另一端連接有電阻R2、電阻R3、電阻R4和二極管D6的負(fù)極，所述電阻R2的另一端連接有二極管D1的正極，且二極管D1的負(fù)極連接有二極管D7的正極、電容C2和輸出端S0，所述二極管D7的負(fù)極和二極管D6的正極相連接，所述電容C2的另一端連接有電阻R5的一端和滑動端，且電容C2的另一端連接有雙基二極管D11的發(fā)射極e，所述電阻R5的另一端和電阻R3的另一端相連接，所述雙基二極管D11的基極b1和電阻R4的另一端相連接，且雙基二極管D11的基極b2連接有電阻R6和電阻R7，所述電阻R6的另一端連接有二極管D8的負(fù)極、電容C3和輸出端S1，所述電容C3的另一端、二極管D8的正極和電阻R7的另一端均與輸出端S0相連接，所述整流元件QZ的引腳2連接有電容C4的負(fù)極、二極管D10的正極、電阻R10和電容C5，且整流元件QZ的引腳2和輸出端S0相連接，所述電容C4的正極連接有電阻R8、二極管D9的負(fù)極、電阻R9和PNP型三極管Q2的發(fā)射極，所述電阻R8和二極管D2的負(fù)極相連接，所述二極管D9的正極和二極管D10的負(fù)極相連接，所述電阻R9的另一端連接有PNP型三極管Q1的發(fā)射極，所述PNP型三極管Q1的基極連接有輸出端S1，且PNP型三極管Q1的集電極連接有電阻R10的另一端、電容C5的另一端、電阻R12和電阻R11，所述電容C5的一端連接有輸出端S0，所述電阻R11的另一端連接有輸出端S2、二極管D3的負(fù)極和PNP型三極管Q2的發(fā)射極，所述二極管D3的正極連接有PNP型三極管Q2的集電極、二極管D4的負(fù)極和PNP型三極管Q3的發(fā)射極，所述PNP型三極管Q2的基極和輸出端S0相連接，所述PNP型三極管Q3的基極懸空設(shè)置，且PNP型三極管Q3的集電極連接有二極管D4的正極和二極管D5的負(fù)極，所述二極管D5的正極和電阻R12的另一端相連接。

優(yōu)選的，所述二極管D6、二極管D7、二極管D8、二極管D9和二極管D10均為穩(wěn)壓二極管。

優(yōu)選的，所述電阻R5為可調(diào)電阻，且電容C4為電解電容。

優(yōu)選的，所述輸入端VT1為正極輸入端，且輸入端VT2為負(fù)極輸入端。

優(yōu)選的，所述雙基二極管D11為單向可控硅二極管。