[實用新型]一種基于高質量均勻分布預制銅層的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池有效
| 申請號： | 201620807033.1 | 申請日： | 2016-07-27 |
| 公開（公告）號： | CN206271716U | 公開（公告）日： | 2017-06-20 |
| 發明（設計）人： | 張曉清;黃云翔;湯勇;陸龍生;袁偉;萬珍平;李宗濤 | 申請（專利權）人： | 華南理工大學 |
| 主分類號： | H01L31/032 | 分類號： | H01L31/032;H01L31/0749;H01L31/18 |
| 代理公司： | 廣州粵高專利商標代理有限公司44102 | 代理人： | 何淑珍 |
| 地址： | 510640 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 質量 均勻分布 預制 銅銦鎵硒 薄膜 太陽能電池 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于高質量均勻分布預制銅層的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池，其特征在于包括在襯底上制備的鉬背電極，在鉬背電極上依次制備的基于高質量均勻分布預制銅層的一層銅銦鎵硒吸收層、CdS緩沖層、本征氧化鋅層、摻鋁氧化鋅層和上電極。
2.根據權利要求1所述的一種基于高質量均勻分布預制銅層的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池，其特征在于，所述襯底為鈉鈣玻璃。
3.根據權利要求1所述的一種基于高質量均勻分布預制銅層的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池，其特征在于，所述上電極為銀電極。
4.根據權利要求1所述的一種基于高質量均勻分布預制銅層的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池，其特征在于，鉬背電極的厚度為630～930nm。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
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