[實(shí)用新型]ICP增強(qiáng)多靶磁控濺射裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201620802147.7 | 申請(qǐng)日： | 2016-07-28 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN205803587U | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-12-14 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊佳奇;胡一波;金成剛;吳雪梅;諸葛蘭劍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 蘇州大學(xué) |
| 主分類號(hào)： | C23C14/35 | 分類號(hào)： | C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215000 江蘇*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | icp 增強(qiáng) 磁控濺射 裝置 | ||
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C23 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過(guò)覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
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