[實(shí)用新型]一種H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201620795967.8
• 申請(qǐng)日: 2016-07-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN206418196U
• 公開(kāi)（公告）日: 2017-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梁勇;胡國(guó)新;曾一平;王軍喜;段瑞飛;李輝
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京中科優(yōu)唯科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): C23C16/455
• 分類(lèi)號(hào): C23C16/455;C23C16/30
• 代理公司: 北京和信華成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11390
• 代理人: 胡劍輝

1.一種H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件，用于MOCVD設(shè)備，包括：

進(jìn)氣口，所述進(jìn)氣口包括第一進(jìn)氣口與第一氣源連通、第二進(jìn)氣口與第二氣源連通，第三進(jìn)氣口與第三氣源連通；

其特征在于，所述上下盤(pán)組件還包括

腔室，所述腔室形成于上下盤(pán)組件內(nèi)部，包括與第一進(jìn)氣口連通的第一腔室、與第二進(jìn)氣口連通的第二腔室以及與第三進(jìn)氣口連通的第三腔室；所述第一腔室、第二腔室和第三腔室相互之間不連通；

噴頭，所述噴頭設(shè)置在所述上下盤(pán)組件的外表面上，包括設(shè)置在第一種氣體噴頭區(qū)域的第一氣體噴頭，設(shè)置在第二種氣體噴頭區(qū)域的第二種氣體噴頭，設(shè)置在第三種氣體噴頭區(qū)域的第三種氣體噴頭；所述第一種氣體噴頭與第一腔室連通；所述第二種氣體噴頭與第二腔室連通；所述第三種氣體噴頭區(qū)域與第三腔室連通；

所述第一種氣體噴頭區(qū)域設(shè)置在所述上下盤(pán)組件外表面靠外的部分，所述第二種氣體噴頭區(qū)域設(shè)置在上下盤(pán)組件外表面居中的部分，所述第三氣體噴頭區(qū)域設(shè)置在所述第一種氣體噴頭區(qū)域和第二種氣體噴頭區(qū)域之間，將所述第一種氣體噴頭區(qū)域和第二氣體種噴頭區(qū)域完全隔離。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件，其特征在于，上下盤(pán)組件包括上下設(shè)置的上盤(pán)和下盤(pán)，所述上盤(pán)與下盤(pán)上下布置，所述上盤(pán)和所述下盤(pán)之間采用金屬密封，上盤(pán)和下盤(pán)接觸面為密封面；通過(guò)對(duì)在上盤(pán)和下盤(pán)之間形成所述腔室。

3.根據(jù)權(quán)利要求1-2中任一項(xiàng)所述的H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件，其特征在于，上下盤(pán)組件呈圓盤(pán)狀，底面為圓形，所述第一種氣體噴頭區(qū)域位于上下盤(pán)組件底面上，包括兩個(gè)沿著所述圓形直徑對(duì)稱(chēng)設(shè)置的子區(qū)域，每個(gè)子區(qū)域的邊界包括與所述圓形同心的圓弧，以及連接圓弧兩端的線(xiàn)段。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件，其特征在于，所述第二種氣體噴頭區(qū)域包括兩個(gè)沿著所述直徑對(duì)稱(chēng)設(shè)置的子區(qū)域，每個(gè)子區(qū)域的形狀包括與所述直徑平行的帶狀區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件，其特征在于，所述第三種氣體噴頭區(qū)域包括位于所述第二種氣體噴頭區(qū)域的兩個(gè)子區(qū)域之間的區(qū)域。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件，其特征在于，上下盤(pán)組件還包括水冷裝置，所述水冷裝置靠近所述第一種氣體噴頭區(qū)域、第二種氣體噴頭區(qū)域設(shè)置。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件，其特征在于，所述水冷裝置遠(yuǎn)離所述第三種氣體噴頭區(qū)域設(shè)置。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件，其特征在于，所述水冷裝置設(shè)置在多個(gè)所述第一種氣體噴頭之間，以及，所述水冷裝置還設(shè)置在多個(gè)所述第二氣體噴頭之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的H型噴頭的MOCVD勻氣上下盤(pán)組件，其特征在于，所述第二種氣體噴頭區(qū)域的每個(gè)帶狀子區(qū)域的邊界上設(shè)置有垂直于上下盤(pán)組件底面的壁。