[實用新型]基于二硫化鉬薄膜結構可調太赫茲波衰減器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201620682283.7 | 申請日： | 2016-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN205691892U | 公開（公告）日： | 2016-11-16 |
| 發(fā)明（設計）人： | 史葉欣 | 申請（專利權）人： | 中國計量大學 |
| 主分類號： | G02F1/01 | 分類號： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 二硫化鉬 薄膜 結構 可調 赫茲 衰減器 | ||
【權利要求書】：
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