[實用新型]一種GaN增強耗盡型MOS?HEMT器件有效
| 申請號： | 201620622824.7 | 申請日： | 2016-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN205680686U | 公開（公告）日： | 2016-11-09 |
| 發明（設計）人： | 黎明 | 申請（專利權）人： | 成都海威華芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都華風專利事務所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐豐;胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 gan 增強 耗盡 mos hemt 器件 | ||
【說明書】：
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