[實(shí)用新型]一種減少Sic晶體生長(zhǎng)中碳包裹物產(chǎn)生的熱場(chǎng)結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201620568409.8 | 申請(qǐng)日： | 2016-06-14 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN205711045U | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-11-23 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭清超;李霄;李堅(jiān);楊坤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 河北同光晶體有限公司 |
| 主分類號(hào)： | C30B29/36 | 分類號(hào)： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京連城創(chuàng)新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11254 | 代理人： | 郝學(xué)江 |
| 地址： | 071051 河北省保定市北*** | 國(guó)省代碼： | 河北;13 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 減少 sic 晶體生長(zhǎng) 包裹 物產(chǎn) 結(jié)構(gòu) | ||
【說(shuō)明書(shū)】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于河北同光晶體有限公司，未經(jīng)河北同光晶體有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201620568409.8/2.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 上一篇：一種高效空氣粉塵凈化裝置
- 下一篇：一種立式管殼式冷凝器
- 晶體生長(zhǎng)爐
- HTCVD法碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置
- GdAl<sub>3</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>4</sub>晶體生長(zhǎng)助熔劑及GdAl<sub>3</sub>(BO<sub>3</sub>)<sub>4</sub>晶體生長(zhǎng)方法
- 一種確定溶液晶體生長(zhǎng)溶解度曲線的光學(xué)顯微技術(shù)
- 反饋晶體生長(zhǎng)狀態(tài)的方法、晶體生長(zhǎng)控制方法及控制系統(tǒng)
- 晶體生長(zhǎng)界面擾動(dòng)的原位探測(cè)方法、控制方法及控制系統(tǒng)
- 晶體生長(zhǎng)加熱系統(tǒng)
- 一種晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)
- 晶體生長(zhǎng)裝置及方法
- 一種晶體生長(zhǎng)裝置
