[實用新型]增強型自支撐垂直結構Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件有效
| 申請號： | 201620554498.0 | 申請日： | 2016-06-08 |
| 公開（公告）號： | CN205692835U | 公開（公告）日： | 2016-11-16 |
| 發明（設計）人： | 宋亮;付凱;張志利;孫世闖;李維毅;李夏珺;郝榮暉;袁潔;于國浩;鄧旭光;范亞明;蔡勇;張寶順 | 申請（專利權）人： | 蘇州能屋電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京利豐知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王鋒 |
| 地址： | 215000 江蘇省蘇州市工業*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 增強 支撐 垂直 結構 氮化物 hemt 器件 algan gan | ||
【說明書】：
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