[實用新型]MOSFET封裝結構有效
| 申請號： | 201620545574.1 | 申請日： | 2016-06-07 |
| 公開（公告）號： | CN205789951U | 公開（公告）日： | 2016-12-07 |
| 發明（設計）人： | 于大全;肖智軼;崔志勇;耿增華 | 申請（專利權）人： | 華天科技（昆山）電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/498 | 分類號： | H01L23/498;H01L23/482;H01L21/60 |
| 代理公司： | 昆山四方專利事務所32212 | 代理人： | 盛建德;段新穎 |
| 地址： | 215300 江蘇省*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mosfet 封裝 結構 | ||
【權利要求書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于華天科技（昆山）電子有限公司，未經華天科技（昆山）電子有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201620545574.1/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種多層陶瓷板的盲孔結構
- 下一篇：一種電遷移測試結構
