[實用新型]微機電器件

有效

• 申請號: 201620518104.6
• 申請日: 2016-05-31
• 公開（公告）號: CN206126836U
• 公開（公告）日: 2017-04-26
• 發明（設計）人: L·巴爾多;E·杜奇;F·F·維拉
• 申請（專利權）人: 意法半導體股份有限公司
• 主分類號: B81B7/02
• 分類號: B81B7/02
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 王茂華,董典紅

1.一種微機電器件，其特征在于，包括：

半導體材料的單塊本體(107；210)，具有第一面(107A；120A)和第二面(107B)；

第一掩埋腔(106)，位于半導體材料的所述單塊本體中；

感應區域(112；135)，在所述單塊本體中位于所述第一掩埋腔上方；

第二腔(109；125)，掩埋在所述感應區域中；以及

去耦合溝槽(111)，從所述單塊本體(107；120)的所述第一面(107A；120A)延伸遠至所述第一掩埋腔(106)，并且在橫向上環繞第二掩埋腔(109；125)，所述去耦合溝槽(111)將所述感應區域(112；135)與所述單塊本體的外圍部分(104；137)分離。

2.根據權利要求1所述的微機電器件，其特征在于，所述感應區域(112)包括覆蓋在所述第一掩埋腔(106)上面的厚區域(114)，所述第二掩埋腔(109)被布置在所述厚區域(114)內，并且所述厚區域形成被布置在所述第二掩埋腔與所述第一面(107A)之間的隔膜(110)。

3.根據權利要求2所述的微機電器件，其特征在于，所述隔膜(110)容納電子部件(121)。

4.根據權利要求1所述的微機電器件，其特征在于，所述感應區域(135)包括覆蓋在所述第一掩埋腔(106)上面的厚區域(108)以及被布置在所述厚區域(108)之上的結構層(131)，所述第二腔被布置在所述厚區域與所述結構層之間。

5.根據權利要求4所述的微機電器件，其特征在于，所述結構層(131)形成MEMS慣性傳感器的懸置平臺(132)。

6.根據權利要求1所述的微機電器件，其特征在于，所述去耦合溝槽(111)具有界定所述感應區域(112；135)和臂(113；136)的螺旋狀，所述感應區域(112；135)和所述臂(113；136)被懸置 在所述第一掩埋腔(106)上方，所述臂支撐所述感應區域并將所述感應區域連接至所述單塊本體(107；120)的外圍區域(104；137)。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的微機電器件，其特征在于，還包括接合至所述單塊本體(107；120)并且面對所述單塊本體的所述第一面(107A；120A)的蓋元件(115；150)。

8.根據權利要求7所述的器件，其特征在于，所述蓋元件是ASIC(150)。

9.根據權利要求8所述的微機電器件，形成壓力傳感器，其特征在于，所述單塊本體(107)包括在所述第一掩埋腔(106)與所述單塊本體(107)的所述第二面(107B)之間延伸的基部區域(119)以及穿過所述基部區域的通孔(145)。