[實(shí)用新型]一種金屬層間電介質(zhì)性能的測(cè)試結(jié)構(gòu)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201620497296.7 | 申請(qǐng)日： | 2016-05-26 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN205752159U | 公開（公告）日： | 2016-11-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王明;張瀝文 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/544 | 分類號(hào)： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 金屬 電介質(zhì) 性能 測(cè)試 結(jié)構(gòu) | ||
【權(quán)利要求書】：
下載完整專利技術(shù)內(nèi)容需要扣除積分，VIP會(huì)員可以免費(fèi)下載。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司，未經(jīng)中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201620497296.7/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 電介質(zhì)元件、壓電元件、噴墨頭和噴墨記錄裝置
- 固體電解電容器及其制造方法
- 包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其方法
- 電介質(zhì)電極組合件及其制造方法
- 一種應(yīng)用于全光開關(guān)和光存儲(chǔ)器的光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)器件
- 一種應(yīng)用于全光開關(guān)和光存儲(chǔ)器的光學(xué)雙穩(wěn)態(tài)器件
- 一種斐波那契序列電介質(zhì)與石墨烯的復(fù)合結(jié)構(gòu)
- 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)
- 一種斐波那契序列電介質(zhì)與石墨烯的復(fù)合結(jié)構(gòu)
- 一種基于宇稱-時(shí)間對(duì)稱的全光開關(guān)
- 軟件測(cè)試系統(tǒng)及測(cè)試方法
- 自動(dòng)化測(cè)試方法和裝置
- 一種應(yīng)用于視頻點(diǎn)播系統(tǒng)的測(cè)試裝置及測(cè)試方法
- Android設(shè)備的測(cè)試方法及系統(tǒng)
- 一種工廠測(cè)試方法、系統(tǒng)、測(cè)試終端及被測(cè)試終端
- 一種軟件測(cè)試的方法、裝置及電子設(shè)備
- 測(cè)試方法、測(cè)試裝置、測(cè)試設(shè)備及計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)
- 測(cè)試裝置及測(cè)試系統(tǒng)
- 測(cè)試方法及測(cè)試系統(tǒng)
- 一種數(shù)控切削指令運(yùn)行軟件測(cè)試系統(tǒng)及方法
