[實(shí)用新型]一種硅片表面氣體鈍化處理的處理后氣體破除器有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201620467550.9 | 申請(qǐng)日： | 2016-05-20 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN205621758U | 公開(kāi)（公告）日： | 2016-10-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 王振交;艾凡凡;韓培育 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 蘇州中世太新能源科技有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L31/18 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京科知維創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 32270 | 代理人： | 許益民 |
| 地址： | 215002 江蘇省蘇州市工業(yè)*** | 國(guó)省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 硅片 表面 氣體 鈍化 處理 破除 | ||
【權(quán)利要求書(shū)】：
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H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的，一個(gè)或多個(gè)電光源，如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的，并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
