[實(shí)用新型]一種適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201620450408.3
• 申請(qǐng)日: 2016-05-17
• 公開（公告）號(hào): CN206225382U
• 公開（公告）日: 2017-06-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 袁中存;黨繼東
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 鹽城阿特斯協(xié)鑫陽光電力科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L31/18
• 分類號(hào): H01L31/18;H01L21/205
• 代理公司: 北京品源專利代理有限公司11332
• 代理人: 張海英,林波

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及太陽能電池生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片。

背景技術(shù)

在管式PECVD實(shí)驗(yàn)過程中，通常會(huì)用到大量的假片作為實(shí)驗(yàn)的陪片，而陪片則是用于將空缺位用填滿的廢硅片，由于這個(gè)空缺位的硅片擴(kuò)散出來的方阻不理想，所以用陪片填補(bǔ)，因而該位置的硅片不用于生產(chǎn)正常片。

為了減少成本，通常這些陪片在連續(xù)使用5次后，會(huì)全部取出來進(jìn)行返工處理，返工處理后進(jìn)行重復(fù)使用。然而，現(xiàn)有技術(shù)中應(yīng)用于管式PECVD實(shí)驗(yàn)過程中的陪片，由于其經(jīng)管式PECVD沉積工藝之后，沉積的氮化硅膜層酸洗難度較大，容易造成陪片的浪費(fèi)。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提出一種適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片，能夠?qū)苁絇ECVD工藝中沉積的氮化硅膜層快速去除并且去除效果好，從而利于重復(fù)利用。

為達(dá)此目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案：

一種適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片，包括硅片，所述硅片的表面設(shè)置有絨面，所述絨面的表面預(yù)先沉積有二氧化硅膜層，

在管式PECVD沉積工藝中，待沉積膜沉積于所述二氧化硅膜層的表面。

其中，所述二氧化硅膜層的厚度為5～40nm。

其中，所述硅片的厚度不小于180um。

其中，所述待沉積膜為氮化硅膜層、氧化鋁膜層、二氧化鈦膜層或氮氧化硅膜層。

本實(shí)用新型的有益效果為：

本實(shí)用新型的適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片，通過在硅片表面先制作絨面，然后在絨面的表面預(yù)先沉積有二氧化硅膜層，因而在鍍膜陪片進(jìn)行返工清洗過程中，由于待沉積膜的底層有一層相對(duì)疏松的二氧化硅膜層，使得酸洗時(shí)就會(huì)大大提升去除待沉積膜的時(shí)間和效果，因此，其能夠?qū)苁絇ECVD工藝中沉積的氮化硅膜層快速去除并且去除效果好，從而利于重復(fù)利用。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的鍍膜陪片的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖中：1-硅片；2-絨面；3-待沉積層；4-二氧化硅膜層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖并通過具體實(shí)施方式來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案。

如圖1所示，一種適用于管式PECVD沉積工藝的鍍膜陪片，包括硅片1，所述硅片1的表面設(shè)置有絨面2，所述絨面2的表面預(yù)先沉積有二氧化硅膜層4。該鍍膜陪片在管式PECVD沉積工藝中，待沉積膜3沉積于所述二氧化硅膜層4的表面。其中，所述待沉積膜3為氮化硅膜層、氧化鋁膜層、二氧化鈦膜層或氮氧化硅膜層。具體根據(jù)實(shí)際需要而定。

優(yōu)選的，所述二氧化硅膜層4的厚度為5～40nm，如厚度可以為5nm、7nm、10nm、12nm、15nm、17nm、19nm、23nm、25nm、28nm、30nm、32nm、34nm、36nm、37nm、38nm、39nm、40nm，這樣在后續(xù)返工處理時(shí)，由于待沉積膜3如氮化硅等的底層有一層相對(duì)疏松的二氧化硅膜層4，因而在酸洗時(shí)就會(huì)大大的提升去除氮化硅膜層的時(shí)間和效果。

進(jìn)一步地，所述硅片1的厚度不小于180um，如厚度可以為180um、188um、192um、195um、200um等，從而可以避免硅片破碎。

特別地，在本實(shí)施例中，由于其鍍膜陪片是用于管式PECVD沉積實(shí)驗(yàn)，因而鍍膜陪片需要在硅片的表面先制絨，使硅片的表面形成絨面，而且鍍膜陪片的絨面的大小需要和實(shí)驗(yàn)時(shí)的真片的表面絨面保持一致，例如，鍍膜陪片和真片的表面絨面坑洞大小的差異要保持在10％以內(nèi)；正是由于管式PECVD的鍍膜方式是屬于直接式的，硅片是電極的一部分，是直接參與反應(yīng)鍍膜的，因而硅片表面不同的絨面會(huì)導(dǎo)致薄膜沉積的速率不同，因而如果鍍膜陪片的表面的絨面和真片差異較大，就會(huì)影響到真片的鍍膜效果，從而影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。

綜上所述，本實(shí)用新型的鍍膜陪片，在管式PECVD沉積工藝中使用，可以將其設(shè)置于電池片的一些空缺位置，用于遮擋該空缺位置；并在硅片的表面做絨面，然后在絨面的表面預(yù)先沉積一層二氧化硅膜層的襯底，使得在后續(xù)的沉積工藝中待沉積膜直接沉積在該二氧化硅膜層的表面，利用二氧化硅膜層的疏松特性，利于酸洗時(shí)去除之前沉積的待沉積膜，便于重復(fù)利用。

以上結(jié)合具體實(shí)施例描述了本實(shí)用新型的技術(shù)原理。這些描述只是為了解釋本實(shí)用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對(duì)本實(shí)用新型保護(hù)范圍的限制。基于此處的解釋，本領(lǐng)域的技術(shù)人員不需要付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)即可聯(lián)想到本實(shí)用新型的其它具體實(shí)施方式，這些方式都將落入本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。