[實(shí)用新型]一種抗閂鎖IGBT器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201620391448.5 | 申請日： | 2016-05-04 |
| 公開（公告）號： | CN205621737U | 公開（公告）日： | 2016-10-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊飛;張廣銀;譚驥;沈千行;朱陽軍;盧爍今;田曉麗 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇中科君芯科技有限公司;中國科學(xué)院微電子研究所 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;張濤 |
| 地址： | 214028 江蘇省無錫市新區(qū)菱*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 抗閂鎖 igbt 器件 | ||
【權(quán)利要求書】：
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，并具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件；具有至少一個(gè)電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器；半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個(gè)不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
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