[實用新型]一種SiC生長坩堝平臺有效
| 申請號： | 201620384311.7 | 申請日： | 2016-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN205711043U | 公開（公告）日： | 2016-11-23 |
| 發明（設計）人： | 宗艷民 | 申請（專利權）人： | 山東天岳晶體材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B35/00 |
| 代理公司： | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250118 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 sic 生長 坩堝 平臺 | ||
【說明書】：
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于山東天岳晶體材料有限公司，未經山東天岳晶體材料有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201620384311.7/2.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
