[實用新型]一種能夠加速冷卻的SiC生長坩堝平臺有效
| 申請號： | 201620383159.0 | 申請日： | 2016-04-29 |
| 公開（公告）號： | CN205741276U | 公開（公告）日： | 2016-11-30 |
| 發明（設計）人： | 宗艷民 | 申請（專利權）人： | 山東天岳晶體材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B23/00 | 分類號： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 濟南舜源專利事務所有限公司 37205 | 代理人： | 苗峻 |
| 地址： | 250118 山東*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 能夠 加速 冷卻 sic 生長 坩堝 平臺 | ||
【權利要求書】：
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